Characterization of nonstoichiometric silicon nitride PECVD/ALD films for IR micro-detectors array

Rudakov, G. A.; Sigarev, A. A.; Fedirko, V. A.; Fetisov, E. A.

doi:10.1109/bald.2016.7886527

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…One can see from (13) that the element technology is faced with higher demands when enlarging the array size, the frame frequency, and the temperature difference resolution. The necessary characteristics can be achieved following Eq.…”

Section: Optimal Design Of Mems Thermopile Element For Ir Imager Arraymentioning

confidence: 99%

Thermopile IR Sensor Arrays

Fedirko

Fetisov

Khafizov

et al. 2017

Proceedings of the Scientific-Practical Conference "Research and Development - 2016"

View full text Add to dashboard Cite

Thermopile thermo-sensitive element for infrared (IR) sensor array and its optimization is considered. A concept of thermal infrared sensor array based on the micro (nano)-electromechanical system (MNEMS) with nonstationary Seebeck effect is discussed. Infrared absorption of non-stoichiometric silicon nitride thin films has been studied in the region of wavenumbers 500-7500 cm −1 . The estimated absorption about 64% is found for 1300 nm layer thickness, which is good enough for thermal sensor.

show abstract

Section: Optimal Design Of Mems Thermopile Element For Ir Imager Arraymentioning

confidence: 99%

Thermopile IR Sensor Arrays

Fedirko

Fetisov

Khafizov

et al. 2017

Proceedings of the Scientific-Practical Conference "Research and Development - 2016"

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…x используемый в чувствительных к ИКизлучению элементах МЭМС в качестве поглощающего и функционального слоев. Выбор этого материала для создания тепловых сенсоров, изготовленных по технологии МЭМС, обусловлен возможностью эффективного использования энергии ИКизлучения за счет высокого коэффициента его поглощения SiN x в диапазоне 8...14 мкм [7], [8] и низкой теплопроводностью, обеспечивающей минимальные тепловые потери. В сочетании с алюминием слои нестехиометрического нитрида кремния образуют биморфную структуру SiN Al x с высокой микромеханической чувствительностью вследствие значительного различия коэффициентов термического расширения SiN x и Al [9].…”

unclassified

Initial Deformation of Sinx/Al Cantilevers According to Thermal Budget for Mems Sensors

Rudakov

Khafizov²

2018

Izv. vysš. učebn. zaved. Ross., Radioèlektron.

View full text Add to dashboard Cite

Влияние теплового бюджета формирования кантилеверных консолей SiN x /Al на начальные деформации тепловых сенсоров МЭМС Аннотация. Механические свойства приборов и устройств микроэлектромеханических систем (МЭМС) во многом определяются их структурой и условиями изготовления: толщиной тонких пленок, температурой процессов их формирования, условиями осаждения и т. д. Эти условия, в частности температурные режимы осаждения и последующих термообработок, определяют остаточные напряжения в пленках и, как следствие, влияют на их начальные деформации, стабильность параметров, чувствительность и надежность. В связи с этим прогнозирование уровня остаточных напряжений и управление процессами формирования с целью их минимизации является важной частью конструктивнотехнологического проектирования МЭМС. В настоящей статье исследовано влияние термической обработки на остаточные механические напряжения пленок x SiN , Al и структур x SiN Al . Показано, что растягивающие напряжения в пленках Al являются определяющими для остаточных напряжений структуры x SiN Al и возрастают при увеличении температуры и времени отжига. Это позволяет подобрать условия отжига и тепловой бюджет формирования структур таким образом, чтобы скомпенсировать сжимающие напряжения в слоях x SiN и минимизировать суммарные остаточные напряжения и начальные деформации. Толщина слоев структуры x SiN Al слабо влияет на уровень остаточных механических напряжений, но соотношение толщин слоев x SiN и Al является определяющим для термической деформации кантилеверной консоли.

show abstract

Characterization of nonstoichiometric silicon nitride PECVD/ALD films for IR micro-detectors array

Cited by 2 publications

References 9 publications

Thermopile IR Sensor Arrays

Thermopile IR Sensor Arrays

Initial Deformation of Sinx/Al Cantilevers According to Thermal Budget for Mems Sensors

Contact Info

Product

Resources

About