Comparative study of radiation tolerance of GaN and Ga2O3 polymorphs

Interplay of the disorder and strain in gallium oxide

“…In particular, the amplitude of the surface disorder in the co-implanted samples is significantly higher as compared to the sum of the components, see Fig. 5 a, consistently with nonlinear disorder accumulation for relatively high disorder levels 7 , 23 . Most importantly for the interplay with strain, we observe the decrease in the bulk disorder level in the co-implanted samples, systematically both for P + Ni and F + Ni co-implants.…”

Накопление структурных нарушений при облучении α-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- ионами P и PF-=SUB=-4-=/SUB=-

“…Участвующий в образовании оксида галлия кислород подавался в зону реакции, использовался газ ВЧ (99.998%). Рост слоев оксида галлия проводился при температуре подложки T ∼ 500 [18,20,25,26]).…”

“…В то же время для обеих доз высота объемного максимума дефектов при бомбардировке атомарными ионами больше, чем при облучении молекулами. Сам ОМД оказывается существенно глубже положения максимума упругих потерь энергии ионов, что также отличается от опубликованных ранее данных для β-Ga 2 O 3 [18,20,25].…”

“…Отдельно отметим, что глубина залегания ОМД в α-Ga 2 O 3 оказывается близка к положению максимума распределения внедренных ионов, что отличает этот политип от β-фазы. Напомним, что для нее глубина формирования ОМД совпадает с максимумом баллистических смещений [18,20,25]. Также существенно различаются и дозы ионов, необходимые для формирования одинаковых уровней повреждения кристаллической структуры.…”

“…Также известно, что эффекты, связанные с плотностью каскадов, удобно изучать, проводя сравнение накопления повреждений при облучении атомарными и молекулярными ионами [9,[12][13][14]17,19]. Ранее нами были получены одни из первых данных по накоплению структурных нарушений в α-Ga 2 O 3 при его бомбардировке ускоренными атомарными ионами [20]. Цель данной работывыяснение влияния плотности каскадов смещений на эффективность процесса образования дефектов в эпитаксиальных слоях α-Ga 2 O 3 при их облучении атомарными ионами P и молекулярными ионами PF 4 .…”