Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 Surface by Ar+ ion bombardment

Yusupjanova, M. B.; Tashmukhamedova, D. A.; Umirzakov, B. E.

doi:10.1134/s1063784216040253

Cited by 7 publications

(1 citation statement)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Обнаружено увеличение коэффициента вторично-электронной эмиссии в 3−4 раза. Нами ранее [13][14][15] имплантацией ионов активных металлов на поверхность и приповерхностную область Si, GaAs, CdTe, SiO 2 и CaF 2 получены наноразмерные фазы и пленки двух-и трехкомпонентных соединений, и изучены их состав и электронные свойства. Однако до сих пор не проводились исследования по влиянию имплантации ионов активных металлов на физические и другие свойства оксидов Mo.…”

unclassified

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Umirzakov¹,

Tashmukhamedova²,

Гулямова³

et al. 2020

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Представленные данные показывают, что при имплантации MoO3 ионами Ba+ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo-O, Mo-Ba-O и Ba-O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению работы выхода eφ до 2.7 eV, уменьшению ширины запрещенной зоны Eg в ~1.5 раза и увеличению максимального значения коэффициента вторичной электронной эмиссии sigmam в 1.5 раза. Установлено, что эмиссионная эффективность вторичных электронов приповерхностного слоя чистого Mo заметно больше, чем эмиссионная эффективность ионно-имплантированных слоев Mo. Поэтому увеличение sigmam после ионной имплантации в основном объясняется уменьшением eφ поверхности. При прогреве ионно-имплантированного MoO3 до 900 K значение eφ уменьшается до 2 eV, а значение sigmam увеличивается до T=1000 K. Ключевые слова: ионная имплантация, эмиссионная эффективность, прогрев, термоэлектронная работа выхода, ширина запрещенной зоны, фотоэлектроны.

show abstract

unclassified

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Umirzakov¹,

Tashmukhamedova²,

Гулямова³

et al. 2020

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Obtaining nanoscale CoSiO/Si/CoSi₂ systems for increasing the range of light ray absorption energy

Donaev

Umirzakov

Sobirova

et al. 2020

IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci.

View full text Add to dashboard Cite

The morphology, composition and electronic properties of the CoSiO film obtained on the CoSi2/Si (111) surface by implantation of O2 + ions in combination with annealing were studied. Parameters of energy zones are determined and information about the density of the state of electrons of the valence zone and conductivity zone is obtained. In particular, it is shown that the band gap width of this film is ~2.4 eV. It was ascertained that the CoSiO/Si/CoSi2 heterosystem is very promising for creating efficient solar energy devices.

show abstract

XPS Characterization of Materials for Photonic Applications

Minati

Micheli

Tran

et al. 2019

2019 PhotonIcs &Amp; Electromagnetics Research Symposium - Spring (PIERS-Spring)

View full text Add to dashboard Cite

Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 Surface by Ar+ ion bombardment

Cited by 7 publications

References 4 publications

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Obtaining nanoscale CoSiO/Si/CoSi₂ systems for increasing the range of light ray absorption energy

XPS Characterization of Materials for Photonic Applications

Contact Info

Product

Resources

About

Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 Surface by Ar+ ion bombardment

Cited by 7 publications

References 4 publications

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Влияние имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на состав и электронные свойства пленок MoO-=SUB=-3-=/SUB=-/Mo (111)

Obtaining nanoscale CoSiO/Si/CoSi2 systems for increasing the range of light ray absorption energy

XPS Characterization of Materials for Photonic Applications

Contact Info

Product

Resources

About

Obtaining nanoscale CoSiO/Si/CoSi₂ systems for increasing the range of light ray absorption energy