2012
DOI: 10.1134/s1063782612090102
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Conductivity of Se95As5 chalcogenide glassy semiconductor layers containing the EuF3 rare-earth impurity in high electric fields

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2014
2014
2020
2020

Publication Types

Select...
3

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(1 citation statement)
references
References 14 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…В хàльêогеíèдíых стеêлообðàзíых полупðоводíèêàх (ÕÑП), облàдàющèх отðèцàтельíой дèффеðеíцèàльíой пðоводèмостью S-тèпà, об- íàðужеí ðяд свойств, сðедè êотоðых особое место зàíèмàет элеêтðèчесêàя íеустойчèвость, сопðовождàющàяся èзмеíеíèем фàзового состояíèÿ мàòåðèàëà [3], чòî ïðîÿâëÿåòñÿ â ðåзêîм è быстðом пеðеходе состояíèя стðуêтуðы èз высоêоомíого в íèзêоомíое. Сопðотèвлеíèе èзмеíяется íà мíого поðядêов (10 3 -10 6 ðàз) [4], à вðемя пеðеêлючеíèя для ХСП-стðуêтуð ðàзлèчíого стехèометðèчесêого состàвà состàвляет ïðèмåðíî 1,5•10 -10 с. Мèíèàтюðíость дèодíых ХСП-стðуêтуð позволяет èспользовàть èх для êоðотêоволíовой чàстè мèллèметðового дèàпàзоíà [5]. Одíàêо дàже пðè íàложеíèè стèðàющего èмпульсà дèод остàется в íèзêоомíом состояíèè èз-зà пðèсущего ХСП-мàтеðèàлàм эффеêту пàмятè (удеðжàíèе èíжеêтèðовàííых íосèтелей в СВЧ-поле, сíèжеíèе веðоятíостè èх выходà èз àêтèвíой зоíы è, следовàтельíо, зàтðудíеíèе пðоцессов деполяðèзàцèè, ведущèх ê восстàíовлеíèю èсходíого высоêоомíого состояíèя).…”
Section: двóхканальный переключатель свч-мощности на основе электричеunclassified
“…В хàльêогеíèдíых стеêлообðàзíых полупðоводíèêàх (ÕÑП), облàдàющèх отðèцàтельíой дèффеðеíцèàльíой пðоводèмостью S-тèпà, об- íàðужеí ðяд свойств, сðедè êотоðых особое место зàíèмàет элеêтðèчесêàя íеустойчèвость, сопðовождàющàяся èзмеíеíèем фàзового состояíèÿ мàòåðèàëà [3], чòî ïðîÿâëÿåòñÿ â ðåзêîм è быстðом пеðеходе состояíèя стðуêтуðы èз высоêоомíого в íèзêоомíое. Сопðотèвлеíèе èзмеíяется íà мíого поðядêов (10 3 -10 6 ðàз) [4], à вðемя пеðеêлючеíèя для ХСП-стðуêтуð ðàзлèчíого стехèометðèчесêого состàвà состàвляет ïðèмåðíî 1,5•10 -10 с. Мèíèàтюðíость дèодíых ХСП-стðуêтуð позволяет èспользовàть èх для êоðотêоволíовой чàстè мèллèметðового дèàпàзоíà [5]. Одíàêо дàже пðè íàложеíèè стèðàющего èмпульсà дèод остàется в íèзêоомíом состояíèè èз-зà пðèсущего ХСП-мàтеðèàлàм эффеêту пàмятè (удеðжàíèе èíжеêтèðовàííых íосèтелей в СВЧ-поле, сíèжеíèе веðоятíостè èх выходà èз àêтèвíой зоíы è, следовàтельíо, зàтðудíеíèе пðоцессов деполяðèзàцèè, ведущèх ê восстàíовлеíèю èсходíого высоêоомíого состояíèя).…”
Section: двóхканальный переключатель свч-мощности на основе электричеunclassified