Im Molekiilgeriist von Carbosilanen sind die Elemente Silicium und Kohlenstoff alternierend angeordnet. Ersetzen wir im Diamantgitter das jeweils nachste C-Atom durch ein Si-Atom, so erhalten wir formal Siliciumcarbid (Sic), von dem aufgrund unterschiedlicher Stapelfolge mehrere Modifikationen existieren. Das Sic-Gitter ist die Basis vieler Carbosilane. Nach ihren Strukturmerkmalen werden sie in Carborundane, Silascaphane und solche Spezies unterteilt, die kein Strukturelement des Siliciumcarbids mehr enthalten. In den Carborundanen sind die Si-C-Sechsringe in Sesselform und in den Silascaphanen in Wannenform angeordnet. Die dritte Gruppe enthalt Si-C-Si-Geruste, die sich von Barrelan und Asteran ableiten. Bei allen Carbosilanen werden die Reaktionsmoglichkeiten primar durch die Substituenten an den Geriist-Atomen bestimmt. SiHoder Si-Halogen-Gruppen bedingen eine erhebliche Reaktionsfahigkeit, wahrend Derivate mit organischen Gruppen an den Si-Atomen und CH2-oder CH-Gruppen im Geriist reaktionstrager sind. Diese CH2-bzw. CH-Gruppen ermbglichen jedoch charakteristische Reaktionen. Aufgrund ihres Aufbaus und der vielfaltigen Substitutionsmoglichkeiten finden die Carbosilane in neuerer Zeit auch erhebliches lnteresse im Blick auf die Entwicklung spezieller keramischer Materialien. 0044-8249/87/11 I I-I IS0 $ 02.50/0 Angew. Chem. 99 (1987) I ISO-I 1 71 P Ahb. I. Sktzzc der Pyrolyseuppararur. R ReaktionsgeRD aus Rotosil (Durchmesser I2 cm, Lange 80cm): K VorratsgeTaB mit S i M 4 oder einem Chlor(methy1)silan: P Umlaufpumpe; FI-F, Kondensationsfallen.