Correction to 'Performance of M-ary PSK Systems in Gaussian Noise and Intersymbol Interference'

Shimbo, O.; Fang, R. J. F.; Celebiler, M.

doi:10.1109/tit.1973.1055011

Cited by 5 publications

(4 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…This was the ultimate limit as to holding the error rate accuracy figure above to 1 dB. For all other RF filters treated in [12], [I31 we found the accuracy figure of 1 dB to hold except when the SIR for the CCI was 12 dB or lower.…”

Section: Examplementioning

confidence: 75%

On multiple interference error bounds

McLane

1977

Proc. IEEE

View full text Add to dashboard Cite

IXTRODKCTIOSA new device geometry has been developed which allows a broad class of fully passivated silicon IMPATT diodes to be fabricated for millimeter-wavelength operation. In addition to complete passivation to all normally encountered environments, devices that are constructed with this new geometry have sufficient mechanical strength to permit direct mounting into a waveguide cavity without the use of an insulator standoff and metal ribbon package arrangement. Singledrift-region p+-n-n+ diodes are used to illustrate the basic approach; however, other variations of the IMPATT theme, for example, doubledrift-region diodes, can also be realized. DIODE GEOMETRYAn outline of the fabrication sequence serves to illustrate the geometry and the relatively small number of processing steps required to achieve the passivation. Fabrication begins with the epitaxial growth of a highresistivity n-layer on a heavily doped n+ substrate. The thickness of the n-layer is adjusted to accommodate both the p+ contact and the width of the n-type drift region. A dielectric with a low-loss tangent is deposited onto the epitaxial layer. Circular holes are engraved in the insulator, with areas equal to the desired diode area. Next, the wafer is implanted with ion species of the donor impurity type. Only those silicon regions exposed by the open holes are implanted because the thickness of the insulator prevents ion penetration to the underlying silicon. The implantation parameters are designed to establish a uniformily doped n-type drift region that extends from the n--n+ interface throughout the width of the n-layer. A shallow and abrupt p+ contact profile is achieved with a single lowenergy highdose implantation of acceptor impurities. After implantation, the wafer is annealed to remove the lattice damage and bring the implanted profiles to full electrical activity.Contact and heat-sink metallizations are applied to the front of the wafer. The wafer is thinned from the n+ substrate side, metallized, mesaetched, and separated into individual devices. Alignment of the mesa area is made coaxial to the smaller area of the implanted diode. Fig. 1 shows a cross-sectional view of the implanted structure, where the passivation of the active p+-n-n+ IMPATT diode by a ring of high-resistivity semiconductor and thick insulator is apparent. Because ion-implantation doping is combined with planar and inverted-mesa processing techniques, devices fabricated with this geometry are called 12-PLASA, an acronym for Ion Implanted PLAnar meSA.When a reverse bias is applied to the p+-n junction, carriers are depleted from both the implanted n and epitaxial n-regions. The p+-n-n+ doping profile is designed for a unity punch-through factor; thus the onset of avalanche multiplication occurs when the spacecharge reaches the n-n+ interface. Note that the reverse-bias breakdown is determined by and restricted to the p+-n-n+ diode, owing to the higher doping of the implanted n-type profile.A simple equivalent circuit representation for the 12PLASA structure sho...

show abstract

Section: Examplementioning

confidence: 75%

On multiple interference error bounds

McLane

1977

Proc. IEEE

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Although recent advances are numerically accurate and easy to implement in computer-aided design (CAD) tools [2]- [5], they have dealt with one-dimensional (1-D) or real coherent signaling. While the algorithms presented in [6] and [7] are applicable to two-dimensional (2-D) formats, they have only been applied to -ary phase-shift keying ( -PSK) and -ary quadrature amplitude modulation ( -QAM), respectively.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Numerically efficient Fourier-based technique for calculating error probabilities with intersymbol interference

Reuter¹

1997

IEEE Trans. Commun.

View full text Add to dashboard Cite

We propose a numerically efficient technique for calculating the probability of symbol error for arbitrary coherent modulation schemes in the presence of intersymbol interference (ISI) and additive noise. The probability of error is formulated in terms of an inverse Fourier transform of the windowed characteristic function of the random variable representing the interfering symbols and the noise process. The integral is evaluated numerically using the sampling theorem.

show abstract

“…The problem of ISI arose with the early attempts at telegraph transmission in the mid-nineteenth century. Since that time, the problem has been considered from many viewpoints [20,21,[139][140][141][142][143][144][145][146][147][148][149][150]. For example, in [139], a method for specifying an optimum linear, time invariant receiving filter for a digital data transmission system was derived, assuming that the transmission medium introduces intersymbol interference and additive Gaussian noise, while, in [140], the impact of ISI on the error performance in binary differentially-coherent phase-shift-keying (PSK) systems was evaluated.…”

Section: Intersymbol Interferencementioning

confidence: 99%

“…In [141], the impact of ISI in the capacity of a Gaussian channel was studied. Moreover, in [142], the authors investigated the error performance of M -PSK systems in the presence of Gaussian noise and ISI, while in [143], this analysis was extended in order to include the influence of non-selective fading. Likewise, the joint effect of ISI and Rayleigh fast fading channel was investigated in [145].…”

Section: Intersymbol Interferencementioning

confidence: 99%

Interference mitigation techniques in modern wireless communication systems

Boulogeorgos¹,

Μπουλογεώργος²

View full text Add to dashboard Cite

Η μελέτη και σχεδίαση των σύγχρονων δικτύων ασύρματων επικοινωνιών επιβάλλει την υιοθέτηση αποτελεσματικών τεχνικών για την καταπολέμηση των παρεμβολών προκειμένου να εξασφαλίζεται η ταυτόχρονη πρόσβαση των χρηστών σε εφαρμογές που απαιτούν υψηλό ρυθμό μετάδοσης δεδομένων και μεγάλη αξιοπιστία σε πραγματικό χρόνο. Η παραπάνω ανάγκη γίνεται συνεχώς και πιο επιτακτική εξαιτίας της ολοένα αυξανόμενης πυκνότητας των χρηστών, αλλά και των περιορισμένων διαθέσιμων πόρων σε φάσμα που έχει οδηγήσει σταδιακά στη χρήση τεχνικών πολλαπλών φερόντων για επικοινωνία άνω και κάτω ζεύξης τόσο σ τα επίγεια όσο και σ τα δορυφορικά συσ τήματα νέας γενιάς. Η διδακτορική διατριβή οργανώνεται σε δύο μέρη. Το πρώτο μέρος είναι αφιερωμένο στα διαφορετικά είδη των παρεμβολών, τις επιπτώσεις τους και τους τρόπους αντιμετώπισης τους σε σύγχρονα και μελλοντικά συστήματα ασυρμάτων επικοινωνιών. Επιπλέον, εξετάζεται η επίδραση των ομοκαναλικών παρεμβολών σε ευφυή συστήματα ασύρματων επικοινωνιών, κατά την ανιχνευση φασματικών κενών, και παρουσιάζονται κατάλληλες εκφράσεις για την αξιολόγηση των επιδόσεων του ενεργειακού ανιχνευτή και τον ορισμό των παραμέτρων ανίχνευσης, οι οποίες λαμβάνουν υπόψιν τους τα επιπέδου των παρεμβολών. Το δεύτερο μέρος είναι αφιερωμένο στις επιπτώσεις των ατελειών του υλικού του αναλογικού τμήματος των πομποδεκτών σε σύγχρονα συστήματα ασυρμάτων επικοινωνιών. Πιο συγκεκριμένα, αφού παρουσιάστούν τα σημαντικότερα φαινόμενα που προκαλούνται εξαιτίας των ατελειών των πομποδεκτών, ήτοι ασυμφωνία συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας, φασικός θόρυβος, και μη-γραμμικότητες ενισχυτών, γίνεται ανασκόπηση των επιδράσεων τους σε συστήματα ενός και πολλαπλών φερόντων. Παρατηρούμε ότι σε συστήματα ενός φέροντος προκαλούν παραμορφώσεις του σήματος, ενώ σε συστήματα πολλαπλών φερόντων προκαλούν επιπρόσθετα παρεμβολές από κατοπτρικά ή γειτονικά φέροντα (κανάλια). Στη συνέχεια, η διδακτορική διατριβή επικεντρώνεται στην ποσοτικοποίηση των επιδράσεων του φαινομένου της ασυμφωνίας συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας σε ασύρματα συστήματα παρουσία κασκοδικών διαλειπτικών καναλιών. Ακολουθεί διερεύνηση των επιπτώσεων της ασυμφωνία συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας, καθώς επίσης και του μερικού περιορισμού των εσω-παρεμβολών, στην ανίχνευση του φάσματος σε αμφίδρομα ευφυή συστήματα επικοινωνίας. Επίσης, μελετάται η επίδρασης των διαλείψεων και του συνδυασμού των ατελειών του υλικού στην ανίχνευση του φάσματος. Το επόμενο πρόβλημα που εξετάζεται αφορά την κατανομή ενέργειας από το σταθμό βάσης σε πολλούς χρήστες σε συστήματα ορθογωνικής πολλαπλής εισόδου στο πεδίο της συχνότητας, στα οποία ο κάθε εξοπλισμός χρήστη έχει διαφορετικά επίπεδα των ασυμφωνία συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας. Στα πλαίσια του προβλήματος αυτού, παρουσιάζεται μία καινοτόμα χαμηλής-πολυπλοκότητας μέθοδος για την κατανομή της ενέργειας στους χρήστες, η οποία λαμβάνει υπόψιν τα επίπεδα της ασυμφωνία συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας των προς εξυπηρέτηση χρηστών, και εγγυάται δικαιοσύνη από την άποψη του εφικτού ρυθμού δεδομένων των χρηστών. Τα αποτελέσματα δείχνουν ότι ο εφικτός ρυθμός δεδομένων των χρηστών μπορεί να αυξηθεί δραστικά, με τη χρήση της προτεινόμενής τεχνικής κατανομής ενέργειας. Τέλος, δίνεται ένα καινοτόμο σχήμα, χαμηλής πολυπλοκότητας, το οποίο στοχεύει στην βελτίωση των επιδόσεων τηλεπικοινωνιακών συστημάτων πολλαπλών φερόντων, όπου οι εμπλεκόμενες συσκευές διαθέτουν μία κεραία και ο δέκτης παρουσιάζει ασυμφωνία συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας. Το προτεινόμενο σχήμα όχι μόνο καταπολεμά τις καταστροφικές επιπτώσεις της ασυμφωνίας συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας, αλλά, μέσου κατάλληλης επεξεργασίας σήματος, επιτρέπει επίσης εκμετάλλευση των παρεμβολών, που δημιουργούνται εξαιτίας της ασυμφωνίας συμφασικής και ορθογωνικής συνιστώσας, ώστε να πετύχει διαφορισμό δεύτερης τάξης.

show abstract

Correction to 'Performance of M-ary PSK Systems in Gaussian Noise and Intersymbol Interference'

Cited by 5 publications

References 1 publication

On multiple interference error bounds

On multiple interference error bounds

Numerically efficient Fourier-based technique for calculating error probabilities with intersymbol interference

Interference mitigation techniques in modern wireless communication systems

Contact Info

Product

Resources

About