Es wird eine Schichtspeicherzelle beschrieben und untersucht, bei der insgesamt nur zwei Leitungen benötigt werden und die einen größeren Arbeitsbereich als die übliche Schichtspeicherzelle mit drei Leitungen aufweist. Der gemessene Arbeitsbereich ist im Vergleich zur Streuung der Betriebswerte auf einer Matrix so groß, daß die Speicherzellen in einer Matrixanordnung betrieben werden können. Meßergebnisse an kleinen wortorganisierten Speichermatrizen mit der neuen Zelle werden mitgeteilt, und die Konzeption großer Matrizen wird diskutiert. Die bisherige Forderung, daß alle Zellen auf einer Matrix in einem bestimmten Strombereich einwandfrei schalten, kann mit einer Schaltung umgangen werden, bei der mit Hilfe eines inhaltsadressierten Speichers automatisch von Worten mit fehlerhaften Zellen auf Ersatzworte umgeschaltet wird.The described continuous film memory cell offers a simpler geometry with only two lines and a greater operating range than the previously known continuous film memory cell with three lines. The experimentally determined operating range is so large in comparison with the spread of the operating parameters on a matrix, that a realization of a cryogenic continuous film store may be feasible. The experimental results of small, word organized memory matrices are discussed and the outlines of great matrices are drawn up.Redundant cells which are automatically selected instead of the faulty cells are provided on the memory matrices, so that not all the cells have to switch. An associative memory is proposed for this selection.