Channel defects in vitreous SiO, films on silicon are regions of increased structural order aligned more or less perpendicularly to the silicon surface. The formation of these defects is closely related to the process of oxide growth and is influenced by the orientation of the Si substrate. Channels are precursors to crystallization and are likely to be responsible for the hydrophobic nature of SiO, films in the vicinity of the Si-SiO, interface as well as for transport and electrochemical properties of the SiO, films. The network defects originate from breaking Si-0 bonds followed by a structural rearrangement so that they are still connected to the SiO, network. The intrinsic network defects are trivalent silicon, nonbridging oxygen, and peroxide complex. The most important extrinsic network defects are the SiOH and SiH groups. The effects of network defects on the neighboring Si-0-Si groups and, hence, on the properties of the SiO, film are related to their electron donor or acceptor properties.Die Kanaldefekte in glasartigen Si0,-Schichten auf Silizium sind Regionen rnit erhohter struktureller Ordnung, die mehr oder weniger senkrecht zu der Siliziumoberflache orientiert sind. Die Orientierung des Si-Substrats beeinfluBt die Entstehung dieser Fehler, die mit dem Oxydwachstum eng verbunden ist. Die Kanaldefekte sind Vorlaufer der Kristallisation; sie sind auch verantwortlich fur die hydrophobische Natur der Si0,-Schichten in der Nahe der Si-Si0,-Grenzflache, sowie fur die Transport-und elektrochemischen Eigenschaften der Si0,-Schichten. Die Netzwerkfehler entstehen durch Aufbrechen der Si-0-Bindungen und der darauffolgenden strukturellen Umordnung, so daB sie mit dem Si0,-Netz verbunden bleiben. Die Eigen-Netzwerkfehler sind dreiwertiges silizinm, der nicht-iiberbruckende Sauerstoff und der Peroxyd-Komplex. Die wichtigsten Verunreinigungs-Netzwerkfehler sind die OH-und SiH-Gruppen. Der EinfluB der Netzwerkfehler auf benachbarte Si-0-Si-Gruppen und dadurch auf die Eigenschaften der Si0,-Schicht ist mit ihren Elektron-Donator-oder Akzeptoreigenschaften verkniipft. may exist. It was also shown in Part I that x-bonding is enhanced along the structural channels parallel with the c-axis in tridymite and quartz. Furthermore, the Si-0 bond is influenced by defects as shown by the example of nonbridging oxygen.These considerations are important in regard to the defect structure of SiO, films on silicon. Because of the lack of long-range order (LRO), the nature of defects in vitreous SiO, or in other noncrystalline solids is not understood as well as that of crystals. This paper will show that there are two kinds of major defects in vitreous SiO, films which are distinctly different from defects in crystalline solids: channels and netl) Clarksburg, Maryland 20734, USA. , ) Part I see phys. stat. sol. (a) 67, 235 (1980).
