Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi

Abstract

Öz Schottky engel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmik kontaklar In metali buharlaştırıldıktan sonra 320 o C'de ve N2 ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında ve yarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I-V karakteristikleri 20K ve 300K sıcaklık aralığında sıcaklığın bir fonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I-V karakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için geleneksel Termiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu gözlemlendi. Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarının kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 K sıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı. Numune sıcaklığına bağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerin olduğu tespit edildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engel karakteristiklerinin "engel inhomojenliği modeline" uyduğu belirlendi. 20-150 K ve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalama engel yüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyum içerisindedir. Ayrıca sıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seri direnç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerjisi gibi parametreleri de hesaplandı.

Fabrication and characterization of Au/n-type InP Schottky barrier diode with monolayer graphene interlayer

“…The n and Φ b0 were calculated by equations (3)-(4) and shown in table 1. The n and Φ b0 range from 1.07-0.77 eV for 300 K and 6.85-0.20 eV for 60 K, respectively The variation of ideality factor, especially n>1, attributed to the existence of interface states and the spatial barrier inhomogeneties at the metal-semiconductor (MS) interface [27]. In addition, in figure 5.…”