2021
DOI: 10.1016/j.snb.2020.128851
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Cubic shaped hematite (α-Fe2O3) micro-structures composed of stacked nanosheets for rapid ethanol sensor application

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2

Citation Types

2
18
0
3

Year Published

2021
2021
2024
2024

Publication Types

Select...
7

Relationship

1
6

Authors

Journals

citations
Cited by 60 publications
(23 citation statements)
references
References 85 publications
2
18
0
3
Order By: Relevance
“…Şekil 1, sentezlenmiş katkısız ve Ni katkılı α-Fe2O3 yapılarının XRD kırınım desenlerini göstermektedir. Gözlenen kırınım deseni, Fe2O3 hematitin trigonal fazının tüm kırınım piklerine karşılık gelir (JCPDS PDF no: 33-0664) [11,35]. Mevcut tüm pikler sırasıyla (012), (104), (110), (113), (024), (116), (018), (214) ve (300) kristal düzlemlerine karşılık gelmektedir [36,37].…”
Section: Bulgular Ve Tartışmaunclassified
See 2 more Smart Citations
“…Şekil 1, sentezlenmiş katkısız ve Ni katkılı α-Fe2O3 yapılarının XRD kırınım desenlerini göstermektedir. Gözlenen kırınım deseni, Fe2O3 hematitin trigonal fazının tüm kırınım piklerine karşılık gelir (JCPDS PDF no: 33-0664) [11,35]. Mevcut tüm pikler sırasıyla (012), (104), (110), (113), (024), (116), (018), (214) ve (300) kristal düzlemlerine karşılık gelmektedir [36,37].…”
Section: Bulgular Ve Tartışmaunclassified
“…Yalnız en yüksek Ni içeriğine sahip olan 4Ni-Fe2O3 numunesinde düşük miktarda da olsa kübik kristal yapıya sahip NiO (JCPDS PDF no: 78-0429) ikincil fazının oluşumu tespit edilmiştir. XRD spektrumundaki dar ve keskin pikler, α-Fe2O3 yapılarının yüksek kristalleşmesini doğrular ve katkılı numunelerde kristalleşmenin arttığı görülmektedir [11]. Pik şiddetlerinde değişim ve piklerin konumlarında gözlemlenen kaymalar, Ni atomlarının hematit yapı içerisine nüfuz ettiği şeklinde yorumlanabilir.…”
Section: Bulgular Ve Tartışmaunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Metal oxide semiconductor (MOS)-based resistive sensors have recently attracted a lot of interest because of their ease of manufacture and inexpensive cost, as well as their quick, programmable, sensitive, and selective response [27][28][29][30][31][32][33]. The performance of MOSbased sensors can be improved by using semiconductor metal oxide nanomaterials as sensing material because the nanomaterials have a higher specific surface area, which increases the interaction between the sensing material and the target gas and, thus, improves the sensing response [1,2,4,5].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…The performance of MOSbased sensors can be improved by using semiconductor metal oxide nanomaterials as sensing material because the nanomaterials have a higher specific surface area, which increases the interaction between the sensing material and the target gas and, thus, improves the sensing response [1,2,4,5]. Metal oxide nanomaterials such as zinc oxide (ZnO), copper oxide (CuO), tin oxide (SnO2), tungsten oxide (WO3), nickel oxide (NiO), cobalt oxide (Co3O4), iron oxide (Fe2O3), titanium oxide (TiO2), indium oxide (In2O3), vanadium oxide (V2O5), molybdenum oxide (MoO3), and others are used to fabricate efficient MOS sensors [28][29][30][31][32][33][34][35][36][37]. To explore the characteristics of both, n-and p-type semiconductor nanomaterials, MOS sensors have recently been made using p-n heterojunction nanostructures, which employ composites of p-and n-type semiconductors as functional materials to improve sensing characteristics.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%