Defect Engineering in SI:ER Technology

Abstract

Recent results contributing to our understanding of mechanisms of defect formation and excitation of Er luminescence in Si:Er system are presented. An essential role of non-equilibrium intrinsic point defects in Er-related defects formation for both implanted and in-diffused Si:Er structures is demonstrated.The data of electroluminescence (EL) measurements evidence that the Er 3 + excitation occurs via capture of free excitons on neutral Er-related donor centers with subsequent Augerrecombination of bound excitons.

Влияние Температуры Отжига На Электрически Активные Центры В Кремнии, Имплантированном Ионами Германия

“…Применительно к СД с дислокационной люминесценцией исследовано влияние условий отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами O, Er, Ho, Dy и Yb [4][5][6][7][8][9]. Представляется, что имплантация ионов изовалентной примеси Ge, с атомным радиусом, значительно превышающим размеры атомов Si, также перспективна для создания СД с дислокационной люминесценцией.…”

“…Представляется, что имплантация ионов изовалентной примеси Ge, с атомным радиусом, значительно превышающим размеры атомов Si, также перспективна для создания СД с дислокационной люминесценцией. Образование электрически активных центров в образцах после имплантации и облучения быстрыми частицами и их трансформация в процессе низкотемпературного отжига исследовалась достаточно подробно [10] образовавшихся донорных центров: с ростом температуры отжига значения максимальных концентраций уменьшаются, а их положение смещается в глубь образца [4][5][6][7][8][9]. Природа образовавшихся электрически активных центров в Si : (O, Er, Ho, Dy, Yb) определялась с помощью измерений эффекта Холла и фотопроводимости (фототермической ионизационной спектроскопии) [4,6,13], а также подтверждено моделированием процесса формирования кислородных термодоноров [8].…”