Dependence on crystallographic orientation of trapping properties in a polished MgO single crystal

Abstract

It is well known that the presence of space charges in an insulator is correlated with electric breakdown. Many studies have been carried out on the experimental characterization of space charges and on phenomenological models of trapping and detrapping. In this paper, we outline the dependence on crystallographic orientations of the charge-trapping phenomenon in polished MgO. The charging phenomenon was characterized during and after electron injection by using a scanning electron microscope (SEM). It was shown that the trapping ability depends on the dislocation network of different crystallographic orientations. PACS No.: 72.20JvRésumé : Il est bien connu que la présence de charges d'espace dans un isolant est reliée à son claquage électrique. Plusieurs études ont été faites sur la caractérisation expérimentale des charges d'espace et sur les modèles phénoménologiques de piégeage et de depiégeage des charges. Dans ce papier, nous analysons particulièrement la dépendance du phénomène de piégeage sur les orientations cristallographiques dans du MgO poli. Utilisant un microscope électronique à balayage (SEM), nous avons étudié le phénomène de piégeage des charges pendant et après l'injection d'électrons. Nous montrons que la capacité à piéger dépend du réseau de dislocations selon différentes orientations cristallographiques.[Traduit par la Rédaction]

Determination of the electron beam irradiated area by using a charging effect in oxide surfaces

“…These properties are affected by several properties of the material such as the elaboration process, the structural surface defects, the homogeneity and the crystallographic structure. In particular, crystalline anisotropy affects the trapping efficiency of an irradiated surface [14,19], and may cause a modification of the predicted shape of the irradiated area as previously observed in the mirror method [20] (ellipsoid instead of disk).…”