Deposition and characterization of low temperature silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma CVD

Kshirsagar, Anjali; Nyaupane, Pradeep; Bodas, Dhananjay; Duttagupta, S. P.; Gangal, S. A.

doi:10.1016/j.apsusc.2011.01.020

Cited by 50 publications

(22 citation statements)

References 29 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…На наш взгляд, наиболее подходящим методом получе-ния пассивирующих слоев SiN x на завершающих стадиях формирования приборных структур является осажде-ние в индуктивно-связанной плазме ICPCVD (Inductive Coupling Plasma Chemical Vapor Deposition). Данный метод предполагает использовать индуктивно-связанный разряд в качестве источника плазмы высокой плотно-сти [7][8][9][10][11][12], что способствует снижению температуры осаждения до 150…”

Section: Introductionunclassified

“…Имеются работы, в которых показано, что добавка аргона в состав плазмы способствует получению морфологически более гладких пленок по сравнению с использованием чистого моносилана [7,10,11]. Есть сведения [12] о применении добавки аргона в процессе осаждения пленок нитрида кремния с целью улучшения их адгезионных свойств.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Низкотемпературное осаждение пленок SiN-=SUB=-x-=/SUB=- в индуктивно-связанной плазме SiH-=SUB=-4-=/SUB=-/Ar + N-=SUB=-2-=/SUB=- в условиях сильного разбавления силана аргоном

Охапкин¹,

Королёв²,

Юнин³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Получены пленки SiNx на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13

show abstract

Section: Introductionunclassified

Низкотемпературное осаждение пленок SiN-=SUB=-x-=/SUB=- в индуктивно-связанной плазме SiH-=SUB=-4-=/SUB=-/Ar + N-=SUB=-2-=/SUB=- в условиях сильного разбавления силана аргоном

Охапкин¹,

Королёв²,

Юнин³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Reducing deposition temperature brings about much more versatility in the microfabrication processes and ensures technological compatibility with photoresist layers used to pattern the deposited SiNx films. Nevertheless, the lower this temperature, the more difficult it is to obtain high quality films [60,62]. Indeed, substrate temperature, by favouring hydrogen release from the surface, has an impact on film properties, i.e.…”

Section: Deposition Of Icp-cvd Low Temperature Sinx Filmsmentioning

confidence: 99%

“…Chemical composition (Si/N ratio and H-content) and density are the physicochemical properties that most affect the barrier properties of the SiNx films and their resistance to corrosion [57][58][59][60][61][62][63]. A Si/N ratio close to 0.75 (stoichiometric silicon nitride Si3N4) and a high density thus favour strong resistance to chemical attack (high bond strength, minimization of the dandling bonds).…”

Section: Deposition Of Icp-cvd Low Temperature Sinx Filmsmentioning

confidence: 99%

“…Recently, major interest has been placed on the development of novel PECVD techniques for the deposition of high-density SiNx films at low temperature with reduced surface damages and controlled residual stress. As a result, the most effective methods to produce high-quality dielectric films at low temperatures (≤ 100°C) are the high-density plasma techniques such as electron cyclotron resonance plasma (ECR-CVD) [53][54][55][56] and inductively coupled plasma CVD (ICP-CVD) [57][58][59][60][61][62].…”

Section: Inorganic Dielectric Materialsmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Final capping passivation layers for long-life microsensors in real fluids

Vanhove¹,

Tsopela²,

Bouscayrol³

et al. 2013

Sensors and Actuators B: Chemical

View full text Add to dashboard Cite

Final capping insulation layer is a critical step in the microfabrication process that determines the lifetime of analytical microsensors in real fluids. Actual processes encounter considerable limitations as (i) organic passivation layers do not provide a satisfying long-term protection against liquids and (ii) inorganic passivation processes (dielectric materials deposition and patterning) are very aggressive for the underlying layers, imposing severe constraints on the integration of sensitive materials. We present here a low temperature deposition process of high quality silicon nitride Si3N4 using ICP-CVD technique combined with a lift-off based process to pattern conformal deposition, in order to avoid harsh treatments such as wet or dry etching.High-density SiNx films with low H content (5 x 10 20 at/cm 3 ) were synthesized at 100°C with controlled uniformity (5%), refractive index (2.025 at 830 nm), etch rate in buffered hydrofluoric acid (8 nm/min), residual stress (-500 MPa), breakdown field (3.9 MV/cm) and dielectric constant (6.0). In order to validate the compatibility of this passivation process with long-term fluids analysis, microelectrodes were fabricated and their lifetime in natural seawater was evaluated. Their active surfaces were defined by patterning the insulation layer. Special care was given to their accurate estimation through the modelling of chronoamperometric curves.Reproducible and stable electrochemical response was obtained for months (> 50 days), demonstrating a considerably extended lifetime in harsh liquid media.

show abstract

Molecular Transfer Printing of Block Copolymer Patterns over Large Areas with Conformal Layers

Inoue

Janes

Ren

et al. 2015

Adv Materials Inter

View full text Add to dashboard Cite

Deposition and characterization of low temperature silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma CVD

Cited by 50 publications

References 29 publications

Низкотемпературное осаждение пленок SiN-=SUB=-x-=/SUB=- в индуктивно-связанной плазме SiH-=SUB=-4-=/SUB=-/Ar + N-=SUB=-2-=/SUB=- в условиях сильного разбавления силана аргоном

Низкотемпературное осаждение пленок SiN-=SUB=-x-=/SUB=- в индуктивно-связанной плазме SiH-=SUB=-4-=/SUB=-/Ar + N-=SUB=-2-=/SUB=- в условиях сильного разбавления силана аргоном

Final capping passivation layers for long-life microsensors in real fluids

Molecular Transfer Printing of Block Copolymer Patterns over Large Areas with Conformal Layers

Contact Info

Product

Resources

About