Исследованы свойства углеродных слоев, полученных на подложках GaAs методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Оптимальной температурой процесса нанесения является 500oC; при этом скорость роста углеродных слоев составляла 0.19 нм/с. Спектры комбинационного рассеяния света соответствовали спектру нанокристаллического графита. Углеродные слои имели p-тип проводимости, демонстрировали полупроводниковый характер температурной зависимости сопротивления и были использованы в качестве проводящего прозрачного покрытия GaAs-структур с квантовой ямой InGaAs. Структуры обнаруживают значительную электролюминесценцию даже при невысоких токах накачки и фоточувствительность в диапазоне 1.5-2.2 эВ вплоть до комнатной температуры измерений. Ключевые слова: углеродные нанослои, графен, электролюминесценция.

Рассмотрено развитиe нового способа формирования планарных структур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBCO-метода " задающей маски". Суть метода заключается в том, что на исходной подложке создается маска, а после осаждения YBCO сверхпроводящие элементы оказываются сформированными в заданных локальных окнах маски, а между ними образуются разделительные области. Такие условия роста позволяют получать сверхпроводящие элементы микронного размера с высокими электрофизическими параметрами и гладкой поверхностью. Исследовано влияние параметров задающей маски из аморфного оксида церия на изолирующие свойства получаемых разделительных областей при изготовлении планарных структур на подложках из сапфира и фианита с эпитаксиальными подслоями оксида церия. Работа поддержана РНФ, проект № 16-19-10478. Использовано оборудование ЦКП " Физика и технология микро-и наноструктур".

Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых A III B V структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Проде-монстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста A III B V гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм.

GaAs-based heterostructures grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on virtual Ge/Si substrates using an AlxGa1-xAs seed layer with different aluminum content x in the solid solution are investigated. The effect of solid solution composition on the density and size of antiphase domains emerging on the sample surface and on the optical properties of the GaAs layer is shown. Si(100) substrates with a small unintentional miscut of 0.7° to [110] were used for growth.

Методами оптической интерференционной микроскопии белого света, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены комплексные исследования морфологических и структурных свойств серии монокристаллических HPHT алмазных подложек. Описаны методики, позволяющие охарактеризовать наиболее критичные для эпитаксиального применения параметры подложек на лабораторном оборудовании. Показано, что характеризации алмазных подложек только по ювелирному типу недостаточно при оценке возможности их использования для эпитаксиального роста CVD-алмаза.