Der Faraday-Effekt an amorphen Selenschichten

Gobrecht, H.; Tausend, A.; Bach, Ingrid

doi:10.1007/bf01378523

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1968

1976

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Faraday‐Effekt an amorphem Selen

Garben

Seliger

1968

Physica Status Solidi (b)

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Der Faraday-Effekt an amorphem Selen ist schon vor einigen Jahren untersucht worden (1). Die damals publizierten Ergebnisse decken sich aber nicht mit spateren Beobachtungen des einen von uns (2). Zur Klarung haben wir deshalb die Der gemessene Drehwinkel 8 der Polarisationsebene war proportional zur magnetischen Induktion B (Fig. 1) und zur Probendicke d (Fig. 2), folgte also d e r bekannten Beziehung 8 = VBd .Fur die Verdetkonstante V ergab sich die in Fig. 3 dargestellte Abhangigkeit von der Kreisfrequenz w des Lichtes: ein Anstieg proportional zu w 2 bei kleinen

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Faraday‐Effekt an amorphem Selen

Garben

Seliger

1968

Physica Status Solidi (b)

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Faraday rotation in amorphous CdGeAs₂

Vorisek

Zvára

1971

Physica Status Solidi (b)

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Results of Faraday rotation measurements in t,he region of the absorption edge of amorphous CdGeAs, at room and liquid nitrogen temperatures are presented. Comparison with the BHL and HLN formulae €or the Faraday rotation of crystalline semiconductors yields room-temperature values of the energy gap of 1.22 and 1.32 eV, respectively. The results are discussed in terms of the generally accepted model of amorphous semiconductors, and the gaps obtained are tentatively assigned t o the mobility gap.Die Faraday-Drehung in der amorphen Verbindung CdGeAs, wurde im Gebiet der Absorptionskante bei Zimmertemperatur und der Tempcratur des flfissigen Stickstoffs gemessen. Durch Vergleich der Ergebnissc mit der BHL-und HLN-Formel fiir den FaradayEffekt in kristallincn Halbleitern murde der Wert des Bandabstandes bei Zimqertemperatur zu 1.22 bzw. 1.32 eV bestimmt. Die Ergebnisse werden mit Hilfe des bekannten Modells amorpher Halbleiter diskutiert, und die Werte des Bandabstandes werden versuehsweise dem Abstand der Bewcglichkeitskanten zugeordnet.

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