1985
DOI: 10.1109/tmtt.1985.1133258
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Design and Process Sensitivity of a Two-Stage 6 - 18-GHz Monolithic Feedback Amplifier

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

1986
1986
1987
1987

Publication Types

Select...
5
1

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 6 publications
(2 citation statements)
references
References 2 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…• αντιστάσεις σε εμφυτευμένα στρώματα • μήκος διάχυσης φορέων μειονότητας πύλης του FET 0.5 μιτι • συνδυασμός διηλεκτρικού νιτριδίου / πολυμιδίου • ΜΙΜ πυκνωτές με δύο τιμές χωρητικότητας /μονάδα εμβαδού 490 pF/mm 2 21 pF/mm 2 • σύστημα 2 επιπέδων επιμετάλλωσης (χωρίς αερογέφυρες)…”
Section: Marconiunclassified
See 1 more Smart Citation
“…• αντιστάσεις σε εμφυτευμένα στρώματα • μήκος διάχυσης φορέων μειονότητας πύλης του FET 0.5 μιτι • συνδυασμός διηλεκτρικού νιτριδίου / πολυμιδίου • ΜΙΜ πυκνωτές με δύο τιμές χωρητικότητας /μονάδα εμβαδού 490 pF/mm 2 21 pF/mm 2 • σύστημα 2 επιπέδων επιμετάλλωσης (χωρίς αερογέφυρες)…”
Section: Marconiunclassified
“…Μία από τις πιθανές αιτίες της λήψης μη σωστών αποτελεσμάτων κατά τις μετρήσεις των ολοκληρωμένων της δεύτερης ομάδας είναι οι πανομοιώτυπες αυτεπαγωγές που χρημοποιήθηκαν στις πηγές των FET συμμετρικά για να λύσουμε το πρόβλημα της ευστάθειας [21], [22], [26], [50]. Η προσομοίωση έδωσε σωστά αποτελέσματα, όμως τελικά η πράξη έδειξε ότι η μέθοδος επίτευξης ευστάθειας που χρησιμοποιήθηκε, είχε επιπτώσεις στο κέρδος του ενισχυτή.…”
Section: 6συμπερασματα απο τη σχεδιαση κατασκευη και μετρησεις των Mmicsunclassified