Determining intrinsic noise parameters of 0.25 μm gate pseudomorphic HEMT

Taylor, Russell A.; Brookbanks, D.M.; Holden, A.J.

doi:10.1049/el:19911194

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“…En nuestro caso se elige esta configuración ya que con el MC2D es sencillo realizar el análisis de las fluctuaciones de corriente en puerta y drenador. para un FET), directamente ligados a las densidades espectrales y a los parámetros Y, que constituyen una de las representaciones más comunes para estudiar el ruido en transistores de efecto de campo [Pucel et al 1974, van der Ziel 1986, Taylor et al 1991, Greaves y Unwin 1993, Danneville et al 1994, 1995, Dambrine et al 1999 α representa el ruido en la corriente de drenador producido por las fluctuaciones de la velocidad de los portadores en el canal conductor. β está asociado al ruido inducido en el terminal de puerta por las fluctuaciones de carga en el canal, mientras que C representa la correlación entre ambas fuentes de ruido.…”

Section: C) Parámetros α β Y Cunclassified

“…Con el fin de poder efectuar una comparación apropiada, suelen definirse, como vimos en el Capítulo II, una serie de parámetros normalizados que nos dan una información más precisa sobre los fenómenos físicos asociados al ruido. Los parámetros α, β y C son los más adecuados para este propósito [Pucel et al 1974, van der Ziel 1986, Taylor et al 1991, Greaves y Unwin 1993, Danneville et al 1994, 1995, Dambrine et al 1999. Estos parámetros han sido calculados por primera vez mediante un simulador MC2D para el caso de un transistor MOSFET en un trabajo previo [Rengel et al 2001].…”

Section: Figura Iv29 Densidad Espectral De Las Fluctuaciones De La unclassified

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Análisis de los Fenómenos de Transporte y Ruido Electrónico en Transistores MOSFET y SOI Submicrométricos

Estévez¹

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Objetivos y estructura de la tesis v de Silicio es un parámetro importante por lo que hemos considerado en las simulaciones dos posibles valores para este parámetro, 30 nm y 50 nm, lo que nos permitirá además evaluar su influencia. De nuevo, el estudio será efectuado de manera completa, desde las magnitudes internas hasta los parámetros de ruido.4 En el Capítulo VI nos centraremos en el análisis de dispositivos FDSOI MOSFET fabricados. Además de comentar los principales detalles del proceso de fabricación y del procedimiento experimental de extracción de parámetros, llevaremos a cabo la comparación de los resultados de nuestra simulación MC2D con las medidas obtenidas en laboratorio. Tal comparación nos permitirá por una parte, evaluar la capacidad de nuestro simulador para reproducir los resultados experimentales medidos en laboratorio para los dispositivos reales, y por otra parte, encontrar el origen físico del comportamiento de los mismos. Por último trataremos de dar algunas indicaciones acerca de cómo sería posible mejorar las principales figuras de mérito de estos dispositivos.4 Como complemento, hemos añadido dos apéndices. En el primero mostraremos los principales parámetros físicos considerados en nuestra simulación, así como resultados obtenidos para la simulación de material Silicio, que confirman a un nivel inicial la validez del modelo empleado. En el segundo apéndice, comentaremos algunos aspectos de interés relacionados con el origen del ruido y los modelos compactos para el estudio del ruido propios de los transistores MOSFET.Esperamos que esta Memoria resulte agradable e interesante para el lector, y que en la medida de lo posible hayamos cumplido los objetivos de rigor científico, claridad y amenidad a los que intentamos ajustarnos desde un principio. Índice viii II. 4. Caracterización de pequeña señal 33 II. 4. a) Parámetros Admitancia 33 II. 4. b) Circuito equivalente de pequeña señal 34 II. 5. Caracterización de ruido 37 II. 5. a) Magnitudes básicas en el estudio del ruido 38 II. 5. b) Parámetros de ruido. Análisis de ruido en un dispositivo de 3 terminales 39 II. 5. c) Parámetros α, β y C 40 II. 5. d) Figura mínima de ruido. Resistencia de ruido. Ganancia asociada 41 III. El transistor MOSFET: análisis cuantitativo 45 III. 1. El porqué del Silicio 46 III.2. La estructura MOS 48 III.3. El transistor MOSFET 58 III. 3. a) Funcionamiento básico del transistor MOSFET 58 III. 3. b) Modelos analíticos del MOSFET para análisis DC 62 1. Modelo lineal 62 2. Modelo cuadrático 63 3. Modelo de carga en volumen 64 4. Cálculo de capacidades. Modelo de Meyer 66 III. 3. c) Simulación Monte Carlo de un transistor MOSFET 67 1. Característica I-V 69 2. Concentración de portadores 71 3. Campo eléctrico. Potencial 72 4. Energía y velocidad 75 IV.2. Efectos reales en el transistor MOSFET 129 IV. 2. a) Cargas en el óxido 130 IV. 2. b) Polarización del substrato 132 IV. 2. c) Reducción de la movilidad efectiva 132 IV. 2. d) Control del voltaje umbral 133 IV. 2. e) Dependencia con la temperatura 134 IV. 2. f) Conduc...

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Section: C) Parámetros α β Y Cunclassified

Section: Figura Iv29 Densidad Espectral De Las Fluctuaciones De La unclassified

Análisis de los Fenómenos de Transporte y Ruido Electrónico en Transistores MOSFET y SOI Submicrométricos

Estévez¹

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Accurate noise characterization of short gate length GaAs mesfets and hemts for use in low‐noise optical receivers

Greaves

Unwin

1993

Micro & Optical Tech Letters

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Microscopic noise modeling and macroscopic noise models: how good a connection? [FETs]

Danneville

Happy

Dambrine

et al. 1994

IEEE Trans. Electron Devices

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Determining intrinsic noise parameters of 0.25 μm gate pseudomorphic HEMT

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