Diffuse X‐Ray Determination of the Energy of Mixing and Elastic Constants of GeSi Solid Solutions

Abstract

The short-range order and elastic properties of Ge-Xi solid solutions of 28, 54, and 64% Si are studied by means of X-ray diffuse scattering measurements. The mixing energy of the system taking into account the existence of two f.c.c. sublattices in the diamond structure is determined by extrapolating the long-wave Fourier transforms of the concentration fluctuations Cq to q = 0 points corresponding to the node (400) Die elastischen Konstanten der Ge-Si-Legierung werden bestimmt und ihre positiven Abweichungen aus den zusiitzlichen Werten erhalten, die in guter Ubereinstimmung mit den Werten des Gitterparameters des Systems sind.

Strain distributions and electronic property modifications in Si/Ge axial nanowire heterostructures

“…The value of the cubic term strength ␦͑1,2͒ was fixed at 0.05 eV to match the heat of mixing. 33,34 The remaining terms for the Si-Ge cross potential ͑R 0 , ␣, and the ratio of the 0 values for Si and Ge͒ were varied to achieve an optimal fit to both the elastic constants of the SiGe alloy and the Ge adatom diffusion on a 2 ϫ 1 reconstructed ͑100͒ Si surface. This procedure amounts to an effort to obtain an optimal fit to four experimental values using three fitting parameters.…”

A modified embedded atom method interatomic potential for alloy SiGe

“…6 of their paper the integration parameter X within the regular solution model for their alloy system was found to have a non-linear dependence on the concentration due to the low heats of mixing for the Si 0.125 Ge 0.875 and Si 0.875 Ge 0.125 structures. There is experimental evidence [27] that -at least the chemical part of the interaction parameter is independent of concentration; implying these values should be higher. This leaves the elastic component, however Si and Ge are closely matched in terms of lattice constants.…”

Direct and Indirect Methods of the Analysis of Interatomic Interaction and Kinetics of a Relaxation of the Short-Range Order in Close-Packed Substitutional (Interstitial) Solid Solutions

“…Дифракційна методика була застосована також для визначення параметрів взаємодії, необхідних для побудови фазових діаграм більш складних розчинів напівпровідникових систем з двома атома-ми в елементарній комірці [89][90][91][92] і розчинів органічних сполук [47,93]. Ці розчини є розпадаючимися і для їх опису в наближенні ССУП достатньо було б знайти власні значення {   (0)} енергій «змі-шання», що узагальнюють w(0) [145,252,311].…”

“…Для сильно спотвореного розчину GaP-GaAs внесок пружної взаємодії складає майже полови-ну величини    (0)/k B  2000 К, що слабко залежить від концентрації [90]. Для цього напівпровідникового розчину, як і для ряду інших (SiGe [89], GaAs-AlAs [92]), також вдалося дати кількісний опис фазової діаграми за допомогою дифракційних значень {   (0)}. Оцінка границі концентраційної області спинодального розшару-вання, а також концентраційної щілини незмішуваності при кімнатній температурі, за даними про розсіяння в напрямку, де 1/I diff (k) мінімаль-не [93], дозволила пояснити особливості змішаних молекулярних крис-талів толан-дифенілртуть [47,93].…”