2019
DOI: 10.1016/j.diamond.2019.01.013
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Dynamics of infrared excitations in boron doped diamond

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
5

Citation Types

0
6
0
4

Year Published

2019
2019
2023
2023

Publication Types

Select...
8

Relationship

2
6

Authors

Journals

citations
Cited by 8 publications
(10 citation statements)
references
References 22 publications
0
6
0
4
Order By: Relevance
“…Сам по себе BDD-алмаз представляют собой полупроводник p-типа. Благодаря ряду свойств, таких как большая ширина запрещенной зоны, высокая подвижность носителей, высокая теплопроводность, а также способность противостоять экстремальным условиям, он использует-ся для исследований околоземного и дальнего космоса, в атомных станциях, электрохимии [9][10][11].…”
Section: Introductionunclassified
“…Сам по себе BDD-алмаз представляют собой полупроводник p-типа. Благодаря ряду свойств, таких как большая ширина запрещенной зоны, высокая подвижность носителей, высокая теплопроводность, а также способность противостоять экстремальным условиям, он использует-ся для исследований околоземного и дальнего космоса, в атомных станциях, электрохимии [9][10][11].…”
Section: Introductionunclassified
“…The BDD itself is a p--type semiconductor. Due to a number of properties, such as a large band gap, high carrier mobility, high thermal conductivity, as well as the ability to withstand extreme conditions, it is used for near-Earth and deep space research, nuclear power plants, electrochemistry [9][10][11].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…В литературе имеются экспериментальные данные о временной динамике неравновесных дырок в валентной зоне [3][4][5], скорости и сечении захвата дырок на акцепторы и темпе рекомбинации акцептор−донор [5], а также внутрицентровой релаксации по акцепторным состояниям бора [6,7]. Исследование фотоотклика в алмазе, легированном бором с концентрацией > 10 18 см −3 и высокой долей компенсации (> 0.1) выявило долгоживущие состояния этих акцепторов с энергиями связи 130 мэВ (время жизни 40 нс) и 170 мэВ (200 нс) [6].…”
Section: Introductionunclassified
“…Измерения методом пробного импульса [7] (pumpprobe technique) были нацелены на исследование уровней в линиях поглощения от 304 до 369 мэВ, оптические переходы на которые из основного состояния разрешены. Обнаружена временная динамика сигнала с тремя масштабами времени -коротким, от нескольких пс, средним, ∼ 100 пс, и длинным, > 1 нс.…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation