Effect of Thickness on the Properties of Ga-doped Nano-ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Wu, Fang; Fang, Liang; Pan, Yanjie; Huang, Qinwen; Yang, Xiaoni; Kong, Chunyang

doi:10.1007/s10948-009-0637-8

Cited by 15 publications

(8 citation statements)

References 15 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…This result shows that the crystal quality of the GZO film was enhanced as its thickness increased. This phenomenon is similar to Ga (2%) doped ZnO films as reported by Wu et al [19]. The electrical properties of the GZO films were characterized by the Hall effect measurement.…”

Section: Resultssupporting

confidence: 87%

Pressure and Thickness Dependence of Physical Properties of ZnO:Ga Thin Films by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Wang¹,

Tzeng²

2022

AFM

View full text Add to dashboard Cite

Indium-free transparent conducting oxide films have attracted extensive attention in the field of optoelectronics. Ga-doped ZnO (GZO) thin films are deposited by radio frequency magnetron sputtering on glass substrates at a temperature of 200 °C with ZnO:Ga2O3 (3 wt%). The structural, electrical, and optical properties of the GZO thin films were investigated in terms of deposition pressure and film thickness variations. X-ray diffraction analysis showed that all the prepared GZO films exhibited hexagonal wurtzite crystal structure with a (002) preferential orientation along the c-axis, regardless of pressure and thickness. The average visible transmittance (including the glass substrate) in a wavelength range of 400–700 nm decreased with increasing thickness but varied less with pressure. The highest average visible transmittance reached 88.4% at the thickness of 150 nm and the pressure of 5 mTorr. The optical band gap of the GZO films calculated using Tauc’s method was in the range of about 3.6–3.9 eV. The resistivity of GZO thin films decreased with decreasing deposition pressure and increasing film thickness, and the minimum resistivity obtained at 5 mTorr and 1000 nm was 3.36 × 10-4 Ω-cm. The maximum figure of merit (FOM) of 3.09 × 10-2 Ω-1 was achieved at 5 mTorr and 1000 nm. The superior optical and electrical properties and high FOM show that the prepared GZO thin films are suitable for transparent conducting films and optoelectronic devices.

show abstract

Section: Resultssupporting

confidence: 87%

Pressure and Thickness Dependence of Physical Properties of ZnO:Ga Thin Films by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Wang¹,

Tzeng²

2022

AFM

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Salah satu metode yang bisa digunakan untuk mengatasi kekurangan ini yaitu metode Salt-Assisted Spray Pyrolysis (SASP). Metode Salt-Assisted Spray Pyrolysis (SASP) merupakan modifikasi dari metode Spray Pyrolysis (SP) dengan cara menambahkan garam pada prekursornya yang akan mencegah terjadinya aglomerasi [10]. Penelitian ini bertujuan untuk membuat katalis nanokomposit α-Fe2O3/SiO2 dengan metode Salt-Assisted Spray Pyrolysis.…”

Section: © Fakultas Matematika Danunclassified

Sintesis Nanokomposit -Fe2O3/SiO2 dengan Metode Salt-Assisted Spray Pyrolysis untuk Menurunkan Viskositas Minyak Berat

Anrokhi¹,

Nuryadin

Abdullah

et al. 2017

J. Matem. & Sains

View full text Add to dashboard Cite

ABSTRAKMinyak berat yang jumlahnya sangat banyak masih sulit diproduksi karena mempunyai viskositas yang relatif tinggi. Selama ini proses yang digunakan untuk mereduksi viskositas minyak berat kurang efisien dan kurang ekonomis karena memerlukan waktu lama dan biaya yang sangat mahal, maka perlu cara terbaru agar proses reduksi viskositas lebih efisien dan ekonomis. Salah satunya adalah dengan menambahkan katalis nanokomposit logam oksida α-Fe2O3/SiO2. Pada penelitian ini α-Fe2O3/SiO2 dibuat dengan metode Salt-Assisted Spray Pyrolisis karena metode ini memiliki beberapa kelebihan dibanding metode yang lainnya. Nanokomposit α-Fe2O3/SiO2 diperoleh dengan dekomposisi thermal dari droplet yang dibentuk oleh Nebulizer dari larutan FeCl3, SiO2 dan NaCl sebagai prekursornya. Perbandingan konsentrasi FeCl3, SiO2 dan NaCl yaitu 1:1:5. dengan konsentrasi total 0,7 M dan komposisi SiO2 dalam komposit bervariasi 0%, 25 % dan 50% massa. Droplet hasil sprai dialirkan dengan laju gas pembawa 5 liter/menit menuju reaktor furnace untuk dipirolisis pada suhu 800 °C. Serbuk yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan telah terbentuk puncak-puncak kristal α-Fe2O3. Hasil SEM menunjukkan morfologi nanokomposit -Fe2O3/SiO2 dengan bentuk bulir bulat dengan rata-rata diameter bulir 765 nm, 850 nm dan 746 nm berturut-turut untuk α-Fe2O3, α-Fe2O3/SiO2 25% dan α-Fe2O3/SiO2 50%. Dari uji catalitic Aquathermolysis menunjukkan bahwa katalis α-Fe2O3/SiO2 50% mempunyai sifat katalis lebih bagus daripada katalis α-Fe2O3 dan α-Fe2O3/SiO2 25%.

show abstract

“…Rata-rata transmitansi film tipis ZnO:Ga dengan pemberian tekanan oksigen 0 mTorr dan 50 mTorr diperoleh secara berturut-turut ~62% dan ~83%. Hal tersebut mengindikasikan bahwa film tipis ZnO:Ga dengan tekanan oksigen 50 mTorr cocok untuk aplikasi elektroda transparan [18].…”

Section: ------------------------------------------------------------unclassified

Pengaruh Oksidasi Setelah Deposisi Terhadap Sifat Film Tipis ZnO:Ga

Faizal¹,

Marwoto²,

Sulhadi³

et al. 2017

J. Matem. & Sains

View full text Add to dashboard Cite

ABSTRAKPengaruh oksidasi setelah deposisi terhadap sifat film tipis ZnO:Ga telah dipelajari. Film dideposisi menggunakan metode dc magnetron sputtering pada suhu 300 o C selama 1 jam, kemudian dilakukan variasi oksidasi menggunakan gas oksigen purity 99,99% dengan tekanan 0 mTorr dan 50 mTorr pada suhu 300 o C selama 20 menit. Berdasarkan hasil SEM, ukuran butir film menunjukkan perubahan menjadi lebih besar pada tekanan oksigen 50 mTorr dibandingkan pada tekanan oksigen 0 mTorr. UV-Vis spektrofotometer menunjukkan transmitansi film pada cahaya tampak meningkat seiring dengan meningkatnya tekanan oksigen mencapai sekitar ~83%. Celah pita energi yang dihasilkan film tipis ZnO:Ga pada tekanan oksigen 0 mTorr dan 50 mTorr masing-masing 3,32 eV dan 3,4 eV.

show abstract

Effect of Thickness on the Properties of Ga-doped Nano-ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Cited by 15 publications

References 15 publications

Pressure and Thickness Dependence of Physical Properties of ZnO:Ga Thin Films by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Pressure and Thickness Dependence of Physical Properties of ZnO:Ga Thin Films by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Sintesis Nanokomposit -Fe2O3/SiO2 dengan Metode Salt-Assisted Spray Pyrolysis untuk Menurunkan Viskositas Minyak Berat

Pengaruh Oksidasi Setelah Deposisi Terhadap Sifat Film Tipis ZnO:Ga

Contact Info

Product

Resources

About