Effect of thickness scaling on the permeability and thermal stability of Ta(N) diffusion barrier

Study on the Electrical, Structural, Chemical and Optical Properties of PVD Ta(N) Films Deposited with Different N2 Flow Rates

“…The sensitivity is reduced with thickness, but it can be very good for evaluation of Ta(N) films deposited as diffusion barriers for microelectronics application (d < 10 nm). It is also apparent that ellipsometry may be efficient for evaluation of d < 100 nm films, as it was in [31,32].…”

“…Ma et al studied the temperature-dependent dielectric function of TiN films by SE [28]. Recently, Xu et al [31] used the method of comparing the measured the refractive index of low-k film under the Ta(N) diffusion barrier with the refractive index of the blank low-k film to study the integrity of the Ta(N) diffusion barrier using the approach developed by Shamiryan et al [32]. The abbreviation Ta(N), used hereinafter, refers to the complex films containing both Ta and TaN with different nitrogen concentrations.…”

Influence of N₂ Flows on Sputtered Ta(N) films: Electrical, Structural, Chemical and Optical Properties

“…It is also obvious that ellipsometry will be efficient for evaluation of the d < 100 nm films continuity as it was done in the Ref. [31,32]. The solid curves were calculated by using optical characteristics at 633 nm measured in our films deposited with 12 sccm N2.…”

“…Ma et al have been studied the temperature-dependent dielectric function of TiN films by SE [28]. Recently, Xu et al [31] used the method of comparing the measured refractive index of the low-k film under the Ta(N) diffusion barrier with the refractive index of the blank low-k film to study the integrity of the Ta(N) diffusion barrier using the approach developed by Shamiryan et al [32].…”

Функционализация поверхности low-k диэлектриков ионами Ar низкой энергии

“…Однако подобная технология приводит к возникновению ряда проблем, одна из которых связана с диффузией атомов Cu в глубь low-k пленки, что приводит к ухудшению диэлектрических свойств материала. Для предотвращения возникновения данного эффекта на поверхность создаваемых в low-k пленках узких тренчей наносят ультратонкие (до 5 nm) барьеры из тугоплавких металлов [1,2], но этому препятствует сложная морфология low-k диэлектриков, низкие значения k которых достигаются за счет наличия в их структуре пор, покрытых гидрофобными CH 3 -группами. Для усиления адгезии атомов металла с диэлектриком необходимо провести предварительную обработку тонкого приповерхностного слоя low-k материалов путем удаления CH 3 -групп, т. е. функционализацию.…”