Effects of ionizing radiation on MOS devices

André, B.; Buxo, J.; Estève, D.; Martinot, H.

doi:10.1016/0038-1101(69)90121-x

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Effects of x-radiation on MOS devices at T = 79 K

Kreutz

Pagnia

Waidelich

1971

Phys. Stat. Sol. (a)

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Changes of drain current and of transfer characteristics have been measured during X-irradiation in commercially available n-channel field effect transistors of the metal-oxidesemiconductor configuration. The drain current increases with irradiation time at liquid nitrogen temperature. The partial relaxation and the thermal annealing characteristics of X-ray induced changes are presented. During X-irradiation the inversion in the surface layer becomes stronger. The resulting positive insulator charge is trapped in oxide states which are characteristically distributed in energy dependent from the states occupancy.Anderung des Drainstromes und der Transfercharelrteristik werden wahrend Rdntgenbestrahlung an kommerziellen N-Kanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren gemessen. Der Drainstrom steigt bei T = 79 K mit der Bestrahlungszeit. Die teilweise Relaxation und das thermische Ausheilen der Anderungen werden untersncht. Die Inversion in der Oberfliichenrandschicht wird stiirker. Die strahlungsinduzierten Defektelektronen werden in Oxidhaftstellen eingefangen, die eine von der Besetzung abhanglge energetische Verteilnng zeigen.

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Effects of x-radiation on MOS devices at T = 79 K

Kreutz

Pagnia

Waidelich

1971

Phys. Stat. Sol. (a)

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Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionization

Vinetskiǐ¹,

Chaika²,

Shevchenko³

1974

Phys. Stat. Sol. (a)

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Parameter changes of metal-oxide-semiconductor (MOS) structures under ionizing radiation are caused by the buildup of a positive charge in the oxide which value and topology depend in a complex way on the applied voltage. A proposed simple model and calculation method for the potential distribution in MOS-structure, with arbitrary value and polarity of the applied voltage and based on the solution of the Poisson and kinetic equations system with account of boundary conditions changing with the applied voltage, allow to determine the topology and value of the buildup charge and the resulting shift of the MOScharacteristics in good agreement with experiments. Parameteranderungen von Metall-Oxid-Halbleiter(M0S)-Strukturen bei ionisierenderBestrahlung werden durch den Aufbau von positiven Ladungen in dem Oxid verursacht, deren GroBe und Topologie in komplizierter Weise von der angelegten Spannung abhangen. Ein vorgeschlagenes einfaches Model1 und eine Berechnungsmethode fur die Potentialverteilung in den MOS-Strukturen bei beliebiger GroDe und Polaritat der angelegten Spannung, die auf der Losung des Systems der Poisson-und kinetischen Gleichungen basiert, unter Berucksichtigung der mit der angelegten Spannung sich andernden Grenzbedingungen, erlaubt es, die Topologie und die GroBe der aufgebauten Ladung und der resdtierenden Verschiebung der MOS-Charakteristiken zu bestimmen in guter Ubereinstimmung mit dem Experiment.

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Radiation Effects in Thin Films

Holmes-Siedle

1976

Physics of Nonmetallic Thin Films

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Effects of ionizing radiation on MOS devices

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Effects of x-radiation on MOS devices at T = 79 K

Effects of x-radiation on MOS devices at T = 79 K

Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionization

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