The effects of a very strong excitation on the edge luminescence of a-HgS are studied. Characteristic modifications are observed (emission peak shift towards low energy, broadening of the spectrum). The emission peak shift is interpreted in terms of a band-gap shrinkage b y interaction between free carriers. The state density of the conduction band is calculated, as well as the Fermi quasi-level of the electrons. Since the semiconductor is degenerate at the excitations used, the absence of a Burstein shift leads to the assumption that the radiative transitions have their origin in the bottom of the conduction band. E s wird der EinfluB einer sehr starken Anregung auf die Kantenlumineszenz von HgS-cr untersucht. Charakteristische Modifikationen werden beobachtet (Verschiebung der Emissionsmaxima nach niedriger Energie, Spektrenverbreiterung). Die Verschiebung der Emissionsmaxima wird mit einer Verkleinerung der Bandlucke durch Wechselwirkung zwischen freien Ladungstragern erklart, Sowohl die Zustandsdichte des Leitungsbandes wird berechnet als auch die Quasifermikante der Elektronen. Da der Halbleiter bei den benutzten Anregungen entartet ist, fiihrt das Fehlen einer Bursteinverschiebung zu der Annahme, daB die strahlenden UbergLnge ihren Ursprung am unteren Rand des Leitungsbandes haben.