Electrical conductivity and strength of ultrafine-grained copper containing deformation vacancies, alloying atoms and dislocations

Влияние Границ Зерен На Электропроводность Медных Сплавов

“…Для вычисления удельного сопротивления, обусловленного наличием в материале дислокаций, можно воспользоваться методом, описанным в работах [5,10]…”

“…Усредненная вероятность рассеяния в единицу времени для электрона с волновым числом k на N dis l дислокациях была представлена формулой [10]:…”

“…Типичными дефектами кристаллической решетки являются вакансии и чужеродные атомы. Связанный с точечными дефектами потенциал был выбран равным U = n e /g(E) = (2/3)E F , где g(E) -плотность квантовых состояний в металле, E F -энергия Ферми [10]. Взаимодействие электрона с потенциалом точечного дефекта и вызовет его рассеяние.…”

“…При этом область взаимодействия электрона с точечным дефектом представляется в виде кубика, объем которого равен l 3 . Вклад в удельное сопротивление растворенных атомов (вакансий) тогда может быть оценен по формуле, представленной в работе [10]:…”

“…где C s a -атомная доля растворенных атомов (вакансий), n a -объемная концентрация атомов матрицы, lразмеры области взаимодействия электрона с чужеродным атомом (вакансией) [10].…”