Electron Mobility for a SiSi_1−xGe_x Quantum Well: Acoustic Phonon Scattering Mechanism

Abstract

Drift mobility is calculated at the low temperature regime along the Si channel of a Si-Si,_,Ge, quantum well (QW). Boltzmann transport theory is applied assuming electron interaction with acoustic phonons via the deformation potential mechanism. Infinite potential barriers are supposed at the interfaces and the electron states are obtained in the effective mass approximation. The acoustic phonon spectrum is treated in the standard 3D approach using an electron-phonon Hamiltonian adapted from the bulk case. Obtained results are compared with experiment.Es wird die Driftbeweglichkeit im Tieftemperaturbereich in Richtung des Si-Kanals cines Si-Si, -.$?ex-Quantenwells (QW) berechnet. Boltzmann-Transporttheorie wird angewendet unter der Annahme von Elektronenwechselwirkung mit akustischen Phononen uber den Deformationspotentialmechanismus. Unendliche Potentialbarrieren werden an den Grenzflachen angenommen und die Elektronenzustlnde werden in der Effektivmassennaherung erhalten. Das Spektrum der akustischen Phononen wird mit dem Standard-3D-Verfahren behandelt, wobei ein Elektron-Phonon-Hamiltonoperator benutzt wird, der vom Volumenfall abgeleitet wird. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit dem Experiment vcrglichen.') Ciudad Libertad, Marianao, Havana, Cuba. ' ) San Lazaro y L, Havana 10400, Cuba.