Electron transport in suspended semiconductor structures with two-dimensional electron gas

Abstract

We study electron transport in suspended semiconductor microstructures fabricated from AlAs/GaAs membranes containing a high mobility two-dimensional electron gas. In quantizing magnetic fields, a reflection of edge current channels from the border of suspended area is observed resulting in the absence of vanishing magnetoresistance in the quantum Hall effect (QHE) regime. Relocation of this border out of the Hall bar revives the QHE. We have also found that the critical current of the breakdown of QHE in suspended samples is three times lower than in non-suspended samples due to the peculiarity of heat transport in the membranes.

High speed video recording system on a chip for detonation jet engine testing

“…During RTL synthesis behavioral RTL code was transformed into structural RTL code according to technological cell libraries. In result behavioral Verilog file was converted into logic level Verilog implementation [8][9][10][11].…”

Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек

“…3, a видно, что соизмеримые осцилляции магне-тосопротивления в подвешенных образцах подавляются при большей подводимой мощности, чем в неподвешен-ных, несмотря на идентичность температурных зависи-мостей этих осцилляций. Более того, такое поведение обратно наблюдаемому при изучении пробоя квантового эффекта Холла [3], где в подвешенных образцах зану-ления продольного магнетосопротивления исчезали при меньших критических греющих токах, чем в неподве-шенных образцах. Таким образом, необычное поведение магнетосопротивления в подвешенных образцах нельзя объяснить эффектами разогрева.…”

“…Такие системы интересны с точки зрения практических применений, что в основ-ном обусловлено наличием в них сцепки электрических и механических степеней свободы [1]. Однако даже неколеблющиеся подвешенные наноструктуры вызывают интерес исследователей благодаря ряду их уникальных свойств, среди которых можно отметить: усиленное электрон-электронное взаимодействие [2], отсутствие отвода тепла непосредственно через подложку и связан-ные с этим особенности явлений теплопереноса [3,4]. Несмотря на это, фундаментальные вопросы электрон-ного транспорта, как квантового, так и классического, остаются мало изученными в таких системах.…”

Effects of magnetic barriers on transport and magnetoresistance in a two-dimensional electronic device

“…One can easily obtain the vertical component of stray magnetic field in the plane of 2DEG by the fundamental equations of magnetostatics [13][14][15][16][17] …”