The absorption bands due to an isolated Se2--anion vacancy dipole in KI are located at 275, 291, 371, and 395 nm. It is observed that the irradiation in the 275 and 291 nm absorption bands results in a photo-chemical reaction. Irradiation in the 395 nm absorption band in the presence of an electric field creates a situation in which more dipoles are aligned along the electric field direction whereas such an irradiation in the absence of the electric field destroys the preferred orientation of the frozen-in polarized dipoles. The effect of UV irradiation is studied as a function of electric field strength, irradiation temperature, and irradiation time.Die durch einen isolierten Se2--Anionleerstelle-Dipol i n BI hervorgerufenen Absorptionsbanden liegen bei 275,291,371 und 395 nm. Es wird beobachtet, daB die Einstrahlung in die 275 nm-und 291 nm-Absorptionsbsnden eine photochemische Reaktion auslost. Einstrahlung in die 395 nmAbsorptionsbaxde in einem elektrischen Feld erzeugt eine Situation, in der mehr Dipole in Richtung dcs elektrischen Feldes ausgerichtet werden, wahrend eine Bestrahlung ohne elektrisches Feld die Vorzugsorientierung der eingefrorenen polarisierten Dipole zerstort. Der EinfluB einer UV-Bestrahlung wird in Abhangigkeit von der elektrischen Feldstarke, Bestrahlungstemperatur und Bestrahlungsdaner untersucht.