CrSi, thin films are grown by dc magnetron sputtering of Cr single layers on Si and Cr/Si multi-layer configurations on SiO, and subsequent external annealing. In the optical spectra around the band edge the phonon emission and the absorption branches of the indirect transition at 0.5 eV and the direct transition around 1 eV can be discerned. Spectral features in the reflectivity spectrum at higher energies are discussed on the basis of published density of states calculations. The reflectivity spectrum in the IR region exhibits pronounced structures which can be fitted by a six-oscillator model yielding the TO frequencies, oscillator strengths, and damping constants of the lattice modes. The Raman spectrum shows bands in the 310 to 410 cm-' wave number region.Es wurden CrSi,-Schichten durch Gleichstrom-Magnetron-Sputtern von Cr-Einzelschichten auf Si und Cr/Si-Schichten auf SiO, und nachfolgender externer Temperung hergestellt. In den optischen Spektren im Bereich der Bandkante wurden die Phonon-Emissions-und Absorptions-Zweige des indirekten Ubergangs bei 0,5 eV sowie der direkte Ubergang bei 1 eV erhalten. Die spektrale Abhangigkeit des Reflexionsvermogens bei hoherer Energie wird auf der Grundlage existierender ZustandsdichteBerechnungen diskutiert. Das Reflexionsspektrum im IR-Bereich weist ausgepragte Strukturen auf, die mit Hilfe eines Modells bestehend aus sechs Oszillatoren angepa5t werden konnten, woraus die TO-Frequenzen, Oszillatorstarken und Dampfungskonstanten der Gitterschwingungen ermittelt wurden. Das Raman-Spektrum weist Banden im Wellenzahlbereich von 310 bis 410 cm-' auf.