Embedded mini-Heater design for power loss remote measurement and thermal runaway control on power devices for Accelerated Life Testing

Hernandez-Ambato, Jorge; Pace, Calogero

doi:10.1109/etcm.2016.7750864

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“…La instrumentación usada para este propósito fueron un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico y una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, como se describe en [41] y en [42] respectivamente. Las condiciones bajo las cuales fue aplicada la prueba HTRB en cada DUT se describen en la Tabla IV.…”

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Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia

Berrones¹,

Macías²,

Buenaño³

et al. 2020

Perspectivas

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Este documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB por sus siglas en inglés) a los dispositivos de potencia, determinando sus características eléctricas. Las herramientas utilizadas para este estudio fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico junto con el analizador de parámetros Keithley 4200-SCSn para la caracterización corriente-voltaje y un sistema de medición de ruido de baja frecuencia para caracterización de canales conductivos en dispositivos electrónicos. Los resultados indican un mayor nivel de ruido flicker después de la aplicación del estrés sobre los MOSFETs estudiados, que se relacionan con cambios en el voltaje de umbral producto del estrés aplicado, correlacionando directamente dichos parámetros.

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