Energy spectrum and structure of thin pseudomorphic InAs quantum wells in an AlAs matrix: Photoluminescence spectra and band-structure calculations

Шамирзаев, Т. С.; Gilinsky, A. M.; Kalagin, A. K.; Nenashev, A. V.; Журавлев, К. С.

doi:10.1103/physrevb.76.155309

Cited by 38 publications

(29 citation statements)

References 44 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Note that the QD density strongly differs for SK (9 Â 10 9 cm À 2 ) and DE (10 8 cm À 2 ) samples. In addition, we have demonstrated recently that the WL band is a sum of strongly overlapped bands, which are related to a non-phonon transition and its TO A AlAs , LO InAs and LO AlAs phonon replicas [10]. In the PL spectrum of the SK structure, the WL bands of separate phonon replicas are broadened and overlap so that the spectrum degenerates in two wide peaks.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Lyamkina

Abramkin

Дмитриев

et al. 2011

Journal of Crystal Growth

View full text Add to dashboard Cite

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Lyamkina

Abramkin

Дмитриев

et al. 2011

Journal of Crystal Growth

View full text Add to dashboard Cite

“…Further growth details are given in Ref. [8]. The GaAs/AlAs QW has a type-II band alignment with the lowest conductionband states at the X x and X y minima of the AlAs conduction band [3,8,9].…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Spin dynamics and magnetic field induced polarization of excitons in ultrathin GaAs/AlAs quantum wells with indirect band gap and type-II band alignment

et al. 2017

View full text Add to dashboard Cite

The exciton spin dynamics are investigated both experimentally and theoretically in twomonolayer-thick GaAs/AlAs quantum wells with an indirect band gap and a type-II band alignment. The magnetic-field-induced circular polarization of photoluminescence, Pc, is studied as function of the magnetic field strength and direction as well as sample temperature. The observed nonmonotonic behaviour of these functions is provided by the interplay of bright and dark exciton states contributing to the emission. To interpret the experiment, we have developed a kinetic master equation model which accounts for the dynamics of the spin states in this exciton quartet, radiative and nonradiative recombination processes, and redistribution of excitons between these states as result of spin relaxation. The model offers quantitative agreement with experiment and allows us to evaluate, for the studied structure, the heavy-hole g factor, g hh = +3.5, and the spin relaxation times of electron, τse = 33 µs, and hole, τ sh = 3 µs, bound in the exciton.

show abstract

“…Значительную ширину полос ФЛ КЯ, ∼ (170−230) мэВ, заметно превосходящую типичные значения для КЯ InAs/AlAs [9] и GaAs/AlAs [34], мы связываем с неодно-родностью полученных КЯ InAlSbAs/AlAs по размеру и составу твeрдого раствора. В дальнейшем мы планируем подробно изучить влияние неоднородностей размера и состава на энергетический спектр КЯ, формирующихся в гетеросистеме InSb/AlAs.…”

Section: обсуждение результатовunclassified

“…Кроме того, КТ InSb/AlAs могут иметь энергетическое строение первого рода (носители заряда обоих знаков локализованы в КТ) с основным электронным состояни-ем, принадлежащим непрямой долине зоны проводимо-сти [6][7][8]. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов приводит к увеличению времени жиз-ни экситона вплоть до сотен микросекунд [9][10][11][12], что оказывается сравнимым со временем спиновой релакса-ции локализованного в КТ экситона [13][14][15]. Сочетание длительного времени жизни экситона и длительной спиновой релаксации экситона в таких КТ делает их перспективными объектами для создания ячеек спино-вой памяти.…”

unclassified

Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs

Abramkin¹,

Бакаров²,

Путято³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм−1 мкм) дефектные островки, расположенные на слое Inx Al 1−x Sby As 1−y квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (∼ 10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из Inx Al 1−x Sby As 1−y . Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия. ВведениеРазвитие современной электроники во многом опреде-ляется использованием новых полупроводниковых низ-коразмерных гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) и квантовыми точками (КТ) [1]. Комбинация параметров узкозонного антимонида индия и широкозонного арсе-нида алюминия делает гетероструктуры на их основе привлекательными для развития современных информа-ционных технологий. С одной стороны, гетерострукту-ры перспективны для создания устройств передачи и приема информации: излучателей и фотоприемников с энергией оптического перехода, лежащей в широком диапазоне длин волн -от среднего инфракрасного до видимого [2-4]. С другой стороны, сильная лока-лизация носителей заряда в КТ InSb/AlAs открывает перспективы создания на их основе компактных ячеек памяти, пригодных для длительного хранения инфор-мации. Так, например, в работе [5] предсказывается, что ячейка памяти, созданная на основе КТ GaSb/AlAs, также характеризующихся сильной локализацией носи-телей заряда, может хранить заряд в течение 10 6 лет. Кроме того, КТ InSb/AlAs могут иметь энергетическое строение первого рода (носители заряда обоих знаков локализованы в КТ) с основным электронным состояни-ем, принадлежащим непрямой долине зоны проводимо-сти [6][7][8]. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов приводит к увеличению времени жиз-ни экситона вплоть до сотен микросекунд [9][10][11][12], что оказывается сравнимым со временем спиновой релакса-ции локализованного в КТ экситона [13][14][15]. Сочетание длительного времени жизни экситона и длительной спиновой релаксации экситона в таких КТ делает их перспективными объектами для создания ячеек спино-вой памяти.Несмотря на открывающиеся перспективы, гетеро-структуры InSb/AlAs с КТ и КЯ до сих пор остаются сла-бо изученными. Это обусловлено рядом причин, затруд-няющих получение высококачественных, кристалличе-ски совершенных гетероструктур InSb/AlAs. Во-первых, гетеросистема InSb/AlAs характеризуется гигантским рассогласованием параметров решетки (1...

show abstract

Energy spectrum and structure of thin pseudomorphic InAs quantum wells in an AlAs matrix: Photoluminescence spectra and band-structure calculations

Cited by 38 publications

References 44 publications

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Spin dynamics and magnetic field induced polarization of excitons in ultrathin GaAs/AlAs quantum wells with indirect band gap and type-II band alignment

Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs

Contact Info

Product

Resources

About