Erratum: Dynamics of nonequilibrium electrons on neutral center states of interstitial magnesium donors in silicon [Phys. Rev. B 94, 075208 (2016)]

Pavlov, S. G.; Deßmann, N.; Pohl, Andreas; Shuman, V. B.; Portsel, L. Ð. .; Lodygin, Ðń. N.; Astrov, Yu. A.; Winnerl, Stephan; Schneider, Harald; Stavrias, N.; Meer, A. F. G. van der; Tsyplenkov, V. V.; Kovalevsky, K. A.; Жукавин, Р.Х.; Shastin, V. N.; Абросимов, Н.В.; Hübers, H.-W.

doi:10.1103/physrevb.95.079903

Cited by 6 publications

(8 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…n‐Si with a resistivity of 8 × 10 3 Ω · cm has been used as an initial material. To find concentration of Mg i centers in the sample, the measured temperature dependence of concentration of free electrons n was processed using the statistics of an n‐type semiconductor doped with a double donor impurity; for details see .…”

Section: Volume‐doped Samples Prepared From Dislocation‐free Siliconmentioning

confidence: 99%

Diffusion doping of silicon with magnesium

Astrov

Shuman

Portsel

et al. 2017

Physica Status Solidi (a)

View full text Add to dashboard Cite

Doping of silicon with magnesium is investigated by a sandwich diffusion technique. Temperature dependence of the diffusion coefficient in the dislocation-free silicon in the range of 1000-1200 8C is determined. It obeys the Arrhenius behavior over the range of 600-1200 8C, when the data obtained earlier for the lower temperatures are taken into consideration. Preliminary results on Mg diffusion in the dislocated crystals are also presented. The dislocation-free Si:Mg samples are investigated with the Hall-effect measurements and the low-temperature Fourier spectroscopy. A decrease in concentration of Mg interstitials (about 15%) has been observed after 31 months of the samples storage at room temperature, when a commercially available FZ silicon was used as a starting material. The effect of the samples degradation is proposed to be due to a formation of Mg-O complexes. When using a special silicon purified from oxygen and carbon with concentrations below or equal to 1.5 Â 10 14 and 5 Â 10 14 cm À3 , respectively, a decrease in the density of interstitial magnesium has not been noticed during this period. The storage of Si:Mg samples prepared from pure silicon gives rise to the formation of an unknown center, whose ionization energy is between the corresponding values for the interstitial Mg 0 centers and (Mg-O) 0 complexes.

show abstract

Section: Volume‐doped Samples Prepared From Dislocation‐free Siliconmentioning

confidence: 99%

Diffusion doping of silicon with magnesium

Astrov

Shuman

Portsel

et al. 2017

Physica Status Solidi (a)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Зависимость положения уровня Ферми от температуры хорошо описывается моделью донора с уровнями, указанными выше для Mg i , и концентрацией в диапазоне (0.5−3) • 10 15 см −3 в зависимости от условий диффузии. Измерения эффекта Холла в Si : Mg выявляют также присутствие небольшой концентрации более мелких доноров [7][8][9].…”

Section: Introductionunclassified

“…В настоящей работе метод DLTS применяется для исследования энергетического спектра уровней в кремнии, легированном магнием. Важно отметить, что диффузия магния проводилась в высококачественный исходный материал с применением тех же технологических режимов, которые использовались ранее при изготовлении образцов для оптических и электрических измерений [4,8,9].…”

Section: Introductionunclassified

Исследование энергетического спектра кристаллов Si:Mg методом DLTS

Ярыкин¹,

Shuman²,

Portsel³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Electrically active centers in n -type magnesium-doped silicon crystals are studied by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Magnesium is introduced by diffusion from a metal film on the surface at 1100°C. It is found that two levels with a similar concentration of ~6 × 10^14 cm^–3 dominate in the DLTS spectrum; the value approximately corresponds to the interstitial magnesium (Mg_ i ) concentration expected from diffusion conditions and published data on the Hall effect. The dependence of the electron emission rate from these levels on the electric-field strength agrees qualitatively with the Poole–Frenkel effect, which indicates the donor nature of both levels, although the absolute value of the effect differs from theoretical value. The activation energies of these levels found by the extrapolation of emission rates measured at various temperatures to zero field are 112 and 252 meV, which coincides within the accuracy with energies of ground states of the first and second donor levels of Mg determined previously from optical absorption. Thus, it is shown that when using high-quality initial material and the selected diffusion mode, interstitial magnesium atoms are the dominant centers with levels in the upper half of the band gap.

show abstract

“…Кремний, легированный глубокими двойными донора-ми, такими как S, Se, Mg, представляет собой перспек-тивный материал для исследований в области квантовых технологий [1][2][3]. Электрически активный магний зани-мает особое место среди указанных примесей.…”

Section: Introductionunclassified

“…Для ряда задач (таких, например, как исследование динамики внутрицентровых переходов Mg 0 [3]) требу-ются однородно легированные образцы с достаточны-ми объемом и концентрацией примесных центров. Как правило, Mg вводится в кремний с помощью " сандвич-метода" диффузии (sandwich diffusion technique) в диа-пазоне температур T = 1000−1200…”

Section: Introductionunclassified

Высокотемпературная Диффузия Магния В Бездислокационном Кремнии

Шуман¹,

Астров²,

Лодыгин³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

С использованием сандвич-метода легирования монокристаллического бездислокационного кремния магнием исследована диффузия примеси в диапазоне температур 1000-1200oС. Найденная зависимость коэффициента диффузии межузельного магния от температуры универсальным образом описывает данные настоящей работы и ранее исследованную температурную область 600-800oС. Малая энергия активации диффузии (1.83 эВ) свидетельствует о межузельном транспорте примеси. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44792.8532

show abstract

Erratum: Dynamics of nonequilibrium electrons on neutral center states of interstitial magnesium donors in silicon [Phys. Rev. B 94, 075208 (2016)]

Cited by 6 publications

References 0 publications

Diffusion doping of silicon with magnesium

Diffusion doping of silicon with magnesium

Исследование энергетического спектра кристаллов Si:Mg методом DLTS

Высокотемпературная Диффузия Магния В Бездислокационном Кремнии

Contact Info

Product

Resources

About