Exploring conductivity in ex-situ doped Si thin films as thickness approaches 5 nm

Abstract

 Users may download and print one copy of any publication from the public portal for the purpose of private study or research.  You may not further distribute the material or use it for any profit-making activity or commercial gain  You may freely distribute the URL identifying the publication in the public portal If you believe that this document breaches copyright please contact us providing details, and we will remove access to the work immediately and investigate your claim.

Turning Low-Nanoscale Intrinsic Silicon Highly Electron-Conductive by SiO2 Coating

“…However, it is not clear yet to what extent if any low-nanoscale i-Si becomes n-type with SiO 2 coating in practice. If successful, concepts like the junctionless field-effect transistor (FET) can be realized without the size limit and parasitic effects inherent to impurity doping on the low nanoscale . The term low nanoscale used in our work refers to the impact length of the nanoscale electronic structure shift induced by anions at surfaces (NESSIAS) onto the electronic structure of the Si volume enclosed by the respective dielectric.…”

“…If successful, concepts like the junctionless field-effect transistor (FET) 18 can be realized without the size limit and parasitic effects inherent to impurity doping on the low nanoscale. 19 The term low nanoscale used in our work refers to the impact length of the nanoscale electronic structure shift induced by anions at surfaces (NESSIAS) onto the electronic structure of the Si volume enclosed by the respective dielectric. Since the NESSIAS is an effect conveyed through interfaces, it depends on the shape of the low-nanoscale Si, that is, its surface-to-volume ratio, deciding how big test structures and potential devices exploiting the NESSIAS can be.…”

Квантовый Транспорт В Полупроводниковом Нанослое С Учетом Поверхностного Рассеяния Носителей Заряда

“…Сплошная кривая -теоретический расчет с учетом квантования энергетического спектра носителей заряда, пунктирная кривая -теоретический расчет без учета квантования (квазиклассический случай). Точкиэкспериментальные данные работы [6]. Образцы кремния легированы мышьяком с помощью металлоорганической газофазной эпитаксии.…”

“…В металлических пленках могут быть осцилляции зависимостей проводимости от толщины с периодом, равным половине длины волны де Бройля носителя заряда [1][2][3]. В полупроводниковых пленках наблюдается резкое увеличение сопротивления при малых толщинах [4][5][6]. Имеется значительное количество теоретических работ, в которых для решения задач об электропроводности тонких пленок и проволок использовался стандартный кинетический метод [7][8][9][10][11][12][13].…”

“…Зависимости удельного сопротивления нанопленки кремния от толщины. Точки -экспериментальные данные работы[6]. Сплошная кривая -теоретический расчет при значениях g 1 = g 2 = 0.05, γ = 0.6, = 50 нм, λB = 12 нм, пунктирная кривая -теоретический расчет в квазиклассическом приближении (a ≫ λB).…”