2020
DOI: 10.1016/j.optlastec.2019.105880
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

FerroelectricSr0.6Ba0.4Nb2O6thin film based broadband waveguide cou

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2020
2020
2024
2024

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 8 publications
(1 citation statement)
references
References 38 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…В [5] нами показано, что этот подход позволяет осуществлять осаждение на кремниевую подложку пленок ниобата бария-стронция (SBN) со структурой тетрагональной вольфрамовой бронзы. В отличие от случая монокристаллов структура и свойства пленок SBN, выращенных, в частности, на кремниевых подложках, достаточно мало изучены, однако именно пленки являются перспективными основами для создания новых ИК-матриц, базирующихся на пироэлектрическом эффекте [6], электрооптического модулятора [7], элементов FeRAM и микроэлектромеханических систем. Целью настоящей работы является исследование сегнетоэлектрических характеристик гетероструктуры Sr 0.5 Ba 0.5 Nb 2 O 6 (SBN-50)/ Ba 0.2 Sr 0.8 TiO 3 (BST-20)/Si(001) при комнатной температуре с использованием методов сканирующей зондовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии.…”
unclassified
“…В [5] нами показано, что этот подход позволяет осуществлять осаждение на кремниевую подложку пленок ниобата бария-стронция (SBN) со структурой тетрагональной вольфрамовой бронзы. В отличие от случая монокристаллов структура и свойства пленок SBN, выращенных, в частности, на кремниевых подложках, достаточно мало изучены, однако именно пленки являются перспективными основами для создания новых ИК-матриц, базирующихся на пироэлектрическом эффекте [6], электрооптического модулятора [7], элементов FeRAM и микроэлектромеханических систем. Целью настоящей работы является исследование сегнетоэлектрических характеристик гетероструктуры Sr 0.5 Ba 0.5 Nb 2 O 6 (SBN-50)/ Ba 0.2 Sr 0.8 TiO 3 (BST-20)/Si(001) при комнатной температуре с использованием методов сканирующей зондовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии.…”
unclassified