Gate Injection Transistor (GIT)—A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation

Uemoto, Yasuhiro; Hikita, Masahiro; Ueno, Hideki; Matsuo, Hideaki; Ishida, Hideyuki; Yanagihara, Manabu; Ueda, T.; Tanaka, Tsuyoshi; Ueda, Daisuke

doi:10.1109/ted.2007.908601

Cited by 925 publications

(464 citation statements)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

423

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…There known two different concepts to produce normallyoff GaN devices: Schottky and Ohmic p-gate devices. Panasonic [15] - [16] and FBH [17] - [19] are used the Ohmic contact to p-GaN layer, but Samsung [20] and IMEC [21] are used the W and TiN based Schottky gate contacts. A detailed investigation of the impact of gate metal on the performance of p-GaN/AlGaN/GaN transistors was presented in [22].…”

Section: Advances In Computer Science Research (Acsr) Volume 72mentioning

confidence: 99%

TCAD simulation of MIS-gated power GaN transistors

Erofeev¹,

Fedin²,

Kutkov³

et al. 2017

Proceedings of the IV International Research Conference "Information Technologies in Science, Management, Social Sphere and Med

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: Advances In Computer Science Research (Acsr) Volume 72mentioning

confidence: 99%

TCAD simulation of MIS-gated power GaN transistors

Erofeev¹,

Fedin²,

Kutkov³

et al. 2017

Proceedings of the IV International Research Conference "Information Technologies in Science, Management, Social Sphere and Med

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…[1][2][3][4] From the fail-safe viewpoint of power-switching devices, it is necessary to attain normally off operation. One of the promising approaches to attain such operation is adopting a recessed-gate structure, [5][6][7] which can be fabricated by thinning the AlGaN layer beneath the gate electrode.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process

Kumazaki

Uemura

Sato

et al. 2017

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

The photocarrier-regulated electrochemical (PREC) process was developed for fabricating recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) for normally off operation. The PREC process is based on photo-assisted electrochemical etching using low-energy chemical reactions. The fundamental photo-electrochemical measurements on AlGaN/GaN heterostructures revealed that the photo-carriers generated in the top AlGaN layer caused homogeneous etching of AlGaN with a smooth surface, but those generated in the GaN layer underneath caused inhomogeneous etching that roughens the surface. The concept of the PREC process is to supply the photo-carriers generated only in the AlGaN layer by selecting proper conditions on light wavelength and voltage. The phenomenon of self-termination etching has been observed during the PREC process, where the etching depth was controlled by light intensity. The recessed-gate AlGaN/GaN HEMT fabricated with the PREC process showed positive threshold voltage and improvement in transconductance compared to planar-gate AlGaN/GaN HEMTs.

show abstract

“…Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN) [2,3].…”

Section: Introductionunclassified

Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур

Ерофеев¹,

Федин²,

Федина³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569

show abstract

Gate Injection Transistor (GIT)—A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation

Cited by 925 publications

References 12 publications

TCAD simulation of MIS-gated power GaN transistors

TCAD simulation of MIS-gated power GaN transistors

Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process

Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур

Contact Info

Product

Resources

About