2015
DOI: 10.4139/sfj.66.670
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

GDOES Depth Profile Analysis of Interfacial Enrichment of Copper during Anodizing of Al-Cu Alloy

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2021
2021
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 14 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…./TiAlN/TiN с толщиной каждого из слоев 3 nm. Степень обогащения медью интерфейсов анодированных пленок бинарных сплавов Al−Cu в зависимости от технологических параметров процесса исследована в [14,15]. Применение GDOES для качественного и количественного анализа состава покрытий жестких магнитных дисков описано в [16,17].…”
Section: Introductionunclassified
“…./TiAlN/TiN с толщиной каждого из слоев 3 nm. Степень обогащения медью интерфейсов анодированных пленок бинарных сплавов Al−Cu в зависимости от технологических параметров процесса исследована в [14,15]. Применение GDOES для качественного и количественного анализа состава покрытий жестких магнитных дисков описано в [16,17].…”
Section: Introductionunclassified