Методами спектроскопии полного тока и контактной разницы потенциа-лов в варианте Андерсона изучалось влияние ступенчатого нагрева в диа-пазоне 1300-2800 К в вакууме до 510 10 Па на работу выхода и отраже-ние медленных электронов (Е 0-50 эВ) от грани (110)W. Установлено, что при 2400 К на ней формируется монослой углерода (графен) с 5,08 0,02 эВ в результате сегрегации его из объёма. Повышение тем-пературы до 2800 К и обработка в кислороде удаляют углерод, и образует-ся атомарно-чистая грань (110)W с 5,30 эВ. Наблюдаются пики коэф-фициента отражения электронов от этих поверхностей. Установлено, что их энергетическое положение (Е) пропорционально квадрату порядкового номера (n) пика, что объясняется квантово-размерными эффектами при надбарьерном отражении электронов. Для грани (110)W наблюдается 3 пика, интенсивности которых с ростом n убывают от 45% до 18%, а для графена на ней -6 пиков (при этом интенсивности первых двух падают до 10%).Методами спектроскопії повного струму і контактної ріжниці потенціялів у Андерсоновому варіянті вивчено вплив східчастого нагріву в діяпазоні 1300-2800 К у вакуумі до 510 10 Па на роботу виходу і відбивання пові-льних електронів (Е 0-50 еВ) від грані (110)W. Встановлено, що при 2400 К на ній формується внаслідок сеґреґації моношар вуглецю (графен) з 5,08 0,02 еВ. Підвищення температури до 2800 К і оброблення в ки-сні видаляють Карбон і утворюється атомарно-чиста грань (110)W з 5,30 еВ. Спостерігаються піки коефіцієнта відбивання електронів від цих поверхонь. Встановлено, що їх енергетичне положення (Е) пропор-ційне квадрату порядкового номера (n) піка, що пояснюється квантово-розмірними ефектами при надбар'єрному відбиванні електронів. Для грані (110)W спостерігаються 3 піки, інтенсивності яких із ростом n зме-ншуються від 45% до 18%, а для графену на ній -6 піків (при цьому ін-тенсивності перших двох зменшуються до 10%).