Growth of ZnO films by low-pressure organometallic chemical vapor deposition

Kobayashi, Kenkichiro; Matsubara, Toshihiro; Matsushima, Shigenori; Okada, Genji

doi:10.1016/0040-6090(93)90235-h

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“…Nous en citons le dépôt chimique en phase vapeur (C.V.D.) et ses différentes variantes [5,[10][11][12], le spray [13,14], l'évaporation [15], la technique sol-gel [16,17], l'ablation par laser [18,19] et la pulvérisation cathodique [2][3][4][6][7][8][9].…”

Section: Introductionunclassified

Etude de l’influence de la puissance de dépôt sur les propriétés électriques de films minces d’oxyde de zinc non dopé

Bouderbala,

Hamzaoui,

Adnane

et al. 2023

J. Ren. Energies

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La réalisation de films d'oxyde de zinc par pulvérisation cathodique est largement répandue en raison des multiples avantages qu'offre cette technique. Nous avons élaboré, au laboratoire, des couches minces de ZnO par ce procédé et nous en avons étudié l'évolution des caractéristiques en fonction de certains paramètres de dépôt. Dans cet article, l'attention a été focalisée sur la puissance de dépôt radiofréquence appliquée à un plasma d'argon qui sert de gaz pulvérisateur. L'étude a montré que l'influence de la puissance de dépôt s'est particulièrement manifestée dans la vitesse de croissance et dans les propriétés électriques. Ainsi, pour des substrats disposés perpendiculairement à la cible, la vitesse de croissance des couches est passée de ~ 140 à 390 nm/h, lorsque la puissance étudiée passe de 50 à 200 W. L'effet de la puissance s'est également manifesté dans les propriétés électriques. Pour des échantillons de faible épaisseur (<∼ 0.25 -0.30) µm la résistivité électrique ρ des films décroît avec la puissance, tandis que la mobilité µ  des porteurs de charge et leur concentration n

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