Growth rate modeling for selective tungsten LPCVD

Role of temperature gradients in blanket tungsten for microelectronic contacts

“…They find the best step coverage (least void formation) for deposition at low temperature and Ar as the carrier gas. Also, Wolf et al [15] present a model based on ballistic line of sight for selective W deposition using silane chemistry, primarily to confirm the expression for growth rates under various pressure conditions. In another Monte Carlo simulation model for W LPCVD on silicon substrate by hydrogen reduction, Kim et al [17] showed the non-linear dependence of WF 6 concentration of growth rate.…”

“…In short, several modelling [3,[11][12][13][14][15] and experimental studies of selective W deposition suggest, as a requirement, a low concentration of intermediate species. This implies low growth rate accompanying low pressures (also low WF 6 /Ar and H 2 /Ar ratios), and also low temperatures.…”

“…The literature provides many models for filling a via during blanket deposition. Basically there are two approachesparticle-based modified line of sight and Monte Carlo models [6,9,15,17] and continuum diffusion models [9,16,18,19]-and the goal is to correctly predict the void formation. Jain et al [9] provide a comparison of the first two modelling approaches and find a particle-based line-of-sight model to give better predictions.…”

Σχεδιασμός Αντιδραστήρων Χημικής Απόθεσης Από Ατμό. Εφαρμογή Στη Απόθεση Βολφραμίου Και Στην Απόθεση Οξειδίου Του Κασσιτέρου

“…Στις μέρες μας, το επικρατέστερο πρόδρομο υλικό για την απόθεση του βολφραμίου είναι το WFó το οποίο είναι αέριο σε θερμοκρασία δωματίου. Παρόλο που η θερμική διάσπαση του WFg επιτυγχάνεται σε θερμοκρασίες πάνω από 750°C (Morosanu and Soltuz, 1978), οι περισσότερες μέθοδοι απόθεσης περιλαμβάνουν αναγωγικούς παράγοντες, όπως, Η2 (Wood, 1988;Leusink et al, 1993;Ulmer et al, 1997;Chang and Hon, 1998;Tagtstrom and Jansson, 1999;Colpo et ah, 1999;Piglmayer et al, 2000;Bjorklund et al, 2002), Si (Wong et al, 1987;Kuiper et al, 1989;Yu and Eldridge, 1989;Kobayashi et al, 1990), S1H4 (Yu and Eldridge, 1989;Yu et al, 1990;Park et al, 1991;Leusink et al, 1993;Gouy-Pailler et al, 1994;Bar and Lorenz, 1995;Wolf et al, 1995;Ulmer et al, 1997;Chae et al, 1998), Si2H6 (Elam et al, 2001), B2H6 (Ohba et al, 1989), PH3 (Ohba et al, 1989), SiH2Cl2 (Herd et al, 1989;Jongste et al, 1995), και GeH4 ( Van der Jeugd et al, 1992;Jongste et al, 1995) Μεταξύ των οργανομεταλλικών ενώσεων που έχουν χρησιμοποιηθεί ως πρόδρομα υλικά για την απόθεση βολφραμίου είναι το W(n6-C6Hö)2 (Whaley and Norman, 1966), το W(n3-C3H5)4 (Korenstein et al, 1987) και το W(CO)ó (Kaplan and d'Heurle, 1970;Vogt, 1982;Diem et al, 1983;Zaera, 1992;Gesh...…”