Heteroepitaxy Growth of SiC on the Substrates of Porous Si Method of Substitution of Atoms

Кідалов, В. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Redkov, A. V.; Гращенко, А. С.; Сошніков, І. П.; Boiko, M. V.; Sharkov, M. D.; Dyadenchuk, Alena

doi:10.21272/jnep.10(3).03026

Cited by 3 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…For this purpose, the samples, according to the Kukushkin-Osipov method [12], were annealed in an atmosphere of carbon monoxide (CO) and silane (SiH 4 ) gases mixture. A SiC growth process detailed description and the experimental setup scheme are presented in the review [13], the synthesis conditions are given in research [15].…”

Section: Experimental Techniquementioning

confidence: 99%

ZnO/SiC/Porous-Si/Si Heterostructure: Obtaining and Properties

2022

Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii

View full text Add to dashboard Cite

The content of this work demonstrates the zinc-oxide (ZnO) films' synthesis by means of the HF magnetron sputtering of a zinc target on a silicon substrate using the buffer layers of SiC and porous Si. The synthesis is consisted of three stages: obtaining a mesoporous Si(111) surface by electrochemical etching, SiC films' deposition on porous silicon substrates by the substitution method, and ZnO films' synthesis using the high-frequency magnetron sputtering. The zinc-oxide film thickness is of 1 m. A microscopic cross-section image of the ZnO film demonstrates its columnar microstructure. The films are in the form of tightly packed (agglomerated) nanograins (of 100-150 nm in size). According to the XRD-measurement results, the ZnO films are oriented along the main texture direction [0001]. The study of the formed-structure surface properties indicates the polycrystalline nature of the coating with a hexagonal lattice of wurtzite type. The coherence-area length determined by the Scherrer formula is of 11.8 nm.У роботі продемонстровано синтезу плівок оксиду Цинку ZnO методом ВЧ-магнетронного розпорошення цинкової мішені на кремнійовій підкладинці з використанням буферних шарів SiC та поруватого Si. Синтеза складалася з трьох етапів: одержання мезопоруватої поверхні Si(111) електрохемічним щавленням, нанесення плівок SiC на поруваті кремні-

show abstract

Section: Experimental Techniquementioning

confidence: 99%

ZnO/SiC/Porous-Si/Si Heterostructure: Obtaining and Properties

2022

Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…7, a, b, глубина пористой области значительно больше в темплейте, в котором был предварительно сформирован слой пористого кремния. Этот результат, как и ранее полученные результаты по росту SiC на пористом кремнии [32,33], однозначно подтверждает модель формирования SiC посредством дрейфового, а не чисто диффузионного механизма массопереноса молекул CO по каналам в Si [34]. Как и следует из [34], образование дополнительных, предварительно сформированных в кремнии каналов приводит к их дополнительному ветвлению в Si в процессе синтеза SiC в атмосфере CO и увеличению их плотности.…”

Section: атомно-силовая и сканирующая электронная микроскопияunclassified

Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si

Seredin¹,

Голощапов²,

Zolotukhin³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

С использованием комплекса структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности выращивания слоев GaN технологией молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Показано, что введение переходного слоя нанопористого кремния в темплейт, в котором слой 3C-SiC был создан методом замещения атомов, дает ряд неоспоримых преимуществ по сравнению со стандартными подложками кремния. В частности, данный подход позволил снизить практически на 90% уровень напряжений кристаллической решетки в эпитаксиальном слое GaN и уменьшить долю вертикальных дислокаций в слое GaN. Слой GaN был выращен на поверхности слоя SiC, который, в свою очередь, находился на поверхности темплейта SiC/por-Si/c-Si. Впервые было обнаружено, что использование темплейта SiC/por-Si/c-Si приводит к формированию более однородного по качеству слоя GaN без видимых протяженных дефектов. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, гибридные гетероструктуры, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.

show abstract