Identification of intrinsic deep level defects responsible for electret behavior in TlGaSe2 layered semiconductor

Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-

“…П р е д в а р и т е л ь н ы е з а м е ч а н и я. Область температур регистрации T ∼ 170−200 K (кривые 1−4 на рис. 1, a) для кинетики релаксации составляющей с отрицательной амплитудой (назовем ее β-компонента) хорошо сопоставима с обнаруженным в PICTS-исследо-ваниях диапазоном температур регистрации термоэмис-сии с центра A4 (165−195 K) [6]. Изложенное выше позволяет объяснить аномалии кинетики фотоотклика размораживанием электрета, сформированного центра-ми A4.…”

“…Предположение о связи аномалий кинетики фотоотклика с размораживанием электретов согласуется с зависимостью наблюдения аномалий от предыстории образца и вполне уместно для области T ∼ 170−200 K. Появление добавочной β-компоненты при T > 200 K (кривая 5 на рис. 1) также соответствует обнаруженной ранее температуре начала регистрации термоэмиссии с центра A5 (T = 200 K) [6]. В области T > 200 K аномалии кинетики с нагревом все менее сопоставимы с фотооткликом диода.…”

“…С по-нижением температуры в TlGaSe 2 наблюдается последо-вательность фазовых переходов из высокотемпературной параэлектрической фазы в несоразмерную фазу (вблизи T ∼ 120 K) и далее (T ∼ 110 K) из несоразмерной в соразмерную сегнетоэлектрическую фазу. Однако ввиду высокого удельного сопротивления TlGaSe 2 и в пара-электрической фазе обнаруживает склонность к фор-мированию электрических неоднородностей в объеме кристалла [4][5][6], а также проявлению иных аномалий: резонанса полярных колебаний кристаллической решет-ки типа мягкой моды [7], изменения характера темпе-ратурной зависимости и структуры спектров ядерного магнитного резонанса [8,9], скачкообразного изменения фототока [10], особенностей на температурной зависи-мости теплоемкости [11,12] и коэффициентов теплового расширения кристалла [13]. Электрически активные де-фекты слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупро-водника TlGaSe 2 , способные к локализации носителей заряда и как следствие ответственные за формирование электрических неоднородностей в объеме кристалла, исследованы в [4][5][6].…”

“…Однако ввиду высокого удельного сопротивления TlGaSe 2 и в пара-электрической фазе обнаруживает склонность к фор-мированию электрических неоднородностей в объеме кристалла [4][5][6], а также проявлению иных аномалий: резонанса полярных колебаний кристаллической решет-ки типа мягкой моды [7], изменения характера темпе-ратурной зависимости и структуры спектров ядерного магнитного резонанса [8,9], скачкообразного изменения фототока [10], особенностей на температурной зависи-мости теплоемкости [11,12] и коэффициентов теплового расширения кристалла [13]. Электрически активные де-фекты слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупро-водника TlGaSe 2 , способные к локализации носителей заряда и как следствие ответственные за формирование электрических неоднородностей в объеме кристалла, исследованы в [4][5][6]. В процессе отработки режимов регистрации кинетики релаксации, оптимальных для обнаружения термоэмиссии неравновесного заполнения дефектов, в соответствии с методиками фотоэлектри-ческой релаксационной спектроскопии (PICTS) [14] в области температур параэлектрического состояния кри-сталла были выявлены условия регистрации кинетики фотоотклика кристалла TlGaSe 2 аномального типа.…”

Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Исследования изоструктурных кристаллов TlGaSe 2 [3][4][5] и TlInS 2 [6][7][8][9][10][11] показали принципиальную возможность и перспективность фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS [12]) в изучении электрически активных дефектов в сегнетоэлектрикахполупроводниках. Изменения с температурой термоэмиссии неравновесного заполнения центров локализации заряда (ЦЛЗ) в кристалле TlInS 2 , регистрируемые в области температуры сегнетоэлектрического состояния кристалла, хорошо сопоставимы с зависимостью от температуры его поляризационных характеристик [8,9], пироэлектрического тока [10], скорости распространения ультразвука в кристалле [11], а также результатами термостимулированной проводимости [13,14].…”