“…Для облегчения манипулированием спиновым ансамблем высокоподвижных носителей заряда в веществах с электронными состояниями, защищенными тополо-гией k-пространства, и наблюдения новых киральных эффектов требуется создать топологические изоляторы и родственные им материалы с контролируемым внедрением в кристаллическую решетку атомов, имеющих собственный некомпенсированный магнитный момент (Mn, Fe, Cr, Co, V). С этих позиций актуальной задачей является создание ферромагнитных полупроводников на основе Cd 3 As 2 [3,8,9]. Так, недавно, допирование Cd 3 As 2 хромом позволило наблюдать подавление ультрарелятивистских состояний с около нулевой эффективной массой при замещении атомов Cd атомами Cr [10].…”