Improvement in electrical and photovoltaic properties of a-Si/c-Si heterojunction with slanted nano-columnar amorphous silicon thin films for photovoltaic applications

Tatar, Beyhan; Demiroğlu, D.; Kazmanlı, Kürşat; Ürgen, Mustafa

doi:10.1016/j.cap.2015.02.007

Cited by 5 publications

(2 citation statements)

References 35 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Ancak tek kristal Si maliyet olarak çok yüksek olduğundan zaman içerisinde güneş pili uygulamaları içerisinde polikristal Si ve amorf Si ince filmler maliyeti düşürmek için kullanılmıştır. Son yıllarda ise nano ölçekli üretim teknolojisinin gelişmesiyle nano boyutlu Si ince filmler güneş pili uygulamalarında çalışılmaktadır [10].…”

Section: Introductionunclassified

“…Spiral nano kolonlu yapının boşluklu yüzey morfolojisi ışığın eklem içerisinde daha uzun mesafeler kat etmesine olanak sağlar. Bu şekilde eklem bölgesinde daha fazla elektron-boşluk çifti oluşturabilme potansiyeli ile spiral nano şekilli a-Si ince filmlerin güneş pili teknolojileri ve fotovoltaik aygıtlar için önemli bir kullanımı olacağı düşünülmektedir[10,11].…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Fotovoltaik Uygulamalar için GLAD Tekniği ile Büyütülen Spiral Nano Şekilli a-Si İnce Filmlerin Elektriksel ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Tatar

2016

SDÜ Fen Bil Enst Der

View full text Add to dashboard Cite

Özet: Spiral nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Spiral nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu (XRD) analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen spiral nano şekilli a-Si ince filmlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) ile incelendi. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri karanlık ve aydınlık şartlarda akım-gerilim ölçümleri ile incelendi. Bariyer yüksekliği ΦB, ideallik faktörü ɳ, seri direnç Rs ve şant direnci Rsh gibi spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki diyot parametreleri I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,82 eV, 3,34, 1,9 kΩ ve 0,17 MΩ olarak bulundu. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiş ve açık devre gerilimi ve kısa devre akım yoğunluğu gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla Voc=300mV ve Jsc=0,12 mA/cm 2 olarak elde edilmiştir. Abstract: The spiral nano shape a-Si thin films were prepared on c-Si substrates by GLAD technique in electron beam evaporation system. The structural properties of the spiral nano shape thin films were determined by X-Ray Diffraction (XRD) analysis and Raman spectroscopy. Surface and cross-sectional morphology of spiralnano shape a-Si thin films were investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM). The electrical and photovoltaic properties of spiral nano shape a-Si/c-Si heterojunctions have been investigated by means of currentvoltage measurements within in dark and light conditions. Diode parameters such as barrier height ΦB , diode ideality factor ɳ, series resistance Rs and shunt resistance Rsh were determined from the I-V characteristic in the dark conditions for spiral nano shape a-Si/c-Si heterojunctions were found to be 0.82 eV, 3.34, 1.9 kΩ and 0.17 MΩ respectively. The spiral nano shape a-Si/c-Si heterojunctions shows a photovoltaic behavior and the photovoltaic parameters, such as open circuit voltage and short circuit current density were obtained as Voc=300 mV and Jsc=0,12 mA/cm 2 , respectively. Investigation of Electrical and Structural Properties of Spiral Nano Shape a-Si

show abstract

Section: Introductionunclassified

unclassified