Improving the Efficiency Enhancement of Photonic Crystal Based InGaN Solar Cell by Using a GaN Cap Layer

Abstract

We studied a high indium content (0.8) InGaN based solar cell design where the active InGaN layer is sandwiched between a GaN cap layer and a GaN spacer layer. The incorporation of the sacrificial cap layer allows for the etching of the front surface without removing the active InGaN resulting in a 50% enhancement of the short-circuit current density for a 15 nm-thick InGaN layer.

Alternatif InGaN İnce Film Üretim Yöntemi: Termiyonik Vakum Ark

“…Yüksek dış basınç altında ince film biriktirme gerçekleştirildiğinde rocksalt yapıda kristallenme olduğu tespit edilmiştir (Cheng et al 2015, Oliva et al 2014. In katkılama ile GaN temelli ince filmler güneş pilleri için toksik etkiye sahip olmayan doğrudan geçişli ayarlanabilir geniş optik bant aralığına sahip olması, yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) cihazlar için uygun ısıl iletkenliğe sahip olması, çok yüksek sıcaklıklara dayanıklılığı ticari ve askeri uygulamalar için umut vaat eden bileşikler olarak ön plana çıkmaktadır (Gundogdu et al 2014, Mori et al 2017, Schaake et al 2013.…”