Increasing the degradation resistance of semi-insulating gallium arsenide crystals by plasma processing

Влияние Имплантации H-=sup=-+-=/Sup=- На Оптические Свойства Кристаллов Полуизолирующего Арсенида Галлия В Ик-Области Спектра

“…В первую очередь обращает на себя внимание тот факт, что пропускание исходного кристалла (рис. 1, спектр 1a-T ) в спектральном интервале 4−12 мкм суще-ственно ниже, чем это характерно для АГЧП в этой об-ласти спектра (∼ 56%) [13]. Во-первых, это обусловлено большой толщиной кристалла, а во-вторых, достаточно низким структурным совершенством материала.…”

“…1, спектр 1b-T ). Этот эффект прямо противоположен наблюдаемому после ВЧ-обра-ботки неселективному падению пропускания достаточно совершенных кристаллов АГЧП [13].…”

“…В нашем случае механизм воздействия ВЧ-обра-ботки аналогичен предложенному в [13]. В результате ВЧ-обработки и локального разогрева дефектных обла-стей кристалла происходит частичная релаксация внут-ренних механических напряжений, сопровождающаяся генерацией дополнительных структурных дефектов [13].…”

“…В результате ВЧ-обработки и локального разогрева дефектных обла-стей кристалла происходит частичная релаксация внут-ренних механических напряжений, сопровождающаяся генерацией дополнительных структурных дефектов [13]. Эти дефекты могут аннигилировать со структурными дефектами, имеющимися в несовершенном исходном кристалле.…”

“…Отметим, что радиационные дефекты, рас-положенные в слое ∼ 1.3 мкм (рис. 3), вследствие малой массы ионов водорода являются простыми дефектами, которые могут легко диффундировать в поле градиента механических напряжений в объем кристалла [13], фор-мируя нарушенный слой большей толщины. На форми-рование такого слоя также оказывает влияние расплыва-ние профиля как имплантированного водорода, так и ра-диационных дефектов, в том числе в процессе импланта-ционного разогрева образцов [15].…”