Influence of Ga⁺ion irradiation on the magnetisation reversal process and magnetoresistance in CoFe/Cu/CoFe/IrMn spin valves

Abstract

Qi Xian-Jin(祁先进) a) , Wang Yin-Gang (王寅岗) a) † , Miao Xue-Fei(缪雪飞) a) , Li Zi-Quan(李子全) a) , and Huang Yi-Zhong(黄一中) b)c)

Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом

“…Другой возможный объект влияния радиационного воздействия, который может сказаться на функционировании ТМР элементов, -это граница ферромагнетик/антиферромагнетик, обеспечивающая наличие обменного смещения в одном из ферромагнитных слоев. Ранее проведенные исследования показали, что облучение ионами He [16], C [17], Ga [18] может приводить к изменению величины или направления оси обменного сдвига в зависимости от дозы облучения. В настоящей работе мы исследуем влияние различных доз облучения гамма-квантами и нейтронами на магнитные свойства двухслойных пленок ферромагнетик/антиферромагнетик состава Co/IrMn, CoFeB/IrMn, NiFe/IrMn, которые используются в качестве закрепленных магнитных слоев в разработанных нами ТМР элементах [7,8].…”