Influence of Substrate Misorientation on Surface Morphology of Be-Doped GaAs Grown by MBE

Abstract

The surface morphology of MBE-grown Be-doped GaAs was studied by RHEED, SEM and TEM. {411}A facets were found on the (100) surface for Be 6×1019 cm-3 doping at a growth temperature of 630°C. The surface roughness due to this faceting was suppressed by misorienting the GaAs substrate from (100) toward (111)A; a 19.5° misorientation, i.e., a (411)A substrate, was found to be effective in realizing a smooth surface, even for Be 1×1020 cm-3 doping.

Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии

“…5), что форма основной фононной моды меняется и для образцов #3 и #5 приобретает вид, характерный для образцов с плазмон-фононным резонансом [21]. Это в соответствии с результатами ряда работ [22][23][24], ско-рее всего, является следствием измененной концентра-ции носителей заряда в эпитаксиальной пленке GaAs, выращенной на подложке кремния с отклонением от сингулярного направления [100], по отношению к слою GaAs, полученному на точно ориентированной подложке GaAs(100). Кроме того, хорошо заметно, что частота по-перечной фононной моды TO Ga−As для образцов #3−#5 смещена в низкочастотную область относительно ее положения в спектре гомоэпитаксиального образца #2, что подтверждает факт возникновения внутренних на-пряжений кристаллической решетки в эпитаксиальном слое.…”

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

“…Что касается роста самосогласованных по параметру решетки гетероструктур AlGaAs/GaAs типа, то, как уже было показано авторами работы [11] ис-пользование подложек GaAs(111)A с разориентацией к направлению [100] позволило не только контроли-ровать качество поверхности, но и управлять оптиче-скими свойствами [12,13], распределением и размерами квантово-размерных неоднородностей в эпитаксиальной пленке [14], а также типом и концентрацией введенной примеси [15][16][17]. Также в ряде работ было показано, что с ростом ве-личины разориентации подложки при росте гетерострук-тур с большой разницей между параметрами гетеропа-ры возможно усиление квантового выхода и сужение полосы фотолюминесценции, что является показателем улучшения оптических и структурных свойств [18].…”