Influence of substrate temperature on thermally evaporated CdS thin films properties

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

“…Однак зробити шари CdS дуже тонкими (<50 нм) не можна, оскiльки цi ша-ри будуть аморфними i, отже, матимуть високий опiр, що знижує вихiднi параметри СЕ [22]. Крiм того, при товщинi меншiй, нiж 200-300 нм в плiв-ках часто спостерiгаються наскрiзнi мiкроотвори [23]. У разi плiвок CdS малої товщини (≤100 нм) може формуватися паралельний перехiд мiж CdTe i ППО, який дає значно бiльш високе значення ре-комбiнацiйного струму, нiж перехiд CdS/CdTe [23].…”

“…Крiм того, при товщинi меншiй, нiж 200-300 нм в плiв-ках часто спостерiгаються наскрiзнi мiкроотвори [23]. У разi плiвок CdS малої товщини (≤100 нм) може формуватися паралельний перехiд мiж CdTe i ППО, який дає значно бiльш високе значення ре-комбiнацiйного струму, нiж перехiд CdS/CdTe [23]. Найчастiше в лiтературi вказується значення 200-300 нм для шару CdS [8].…”

“…Розрахунок розмiрiв ОКР проходив по пi-ках з максимальною iнтенсивнiстю, а саме бiля ре-флексiв 2Θ = 26,507 град в площинi (002), розмiр ОКР становив 552-736Å. Гексагональна структу-ра плiвок вважається кращою для виробництва СЕ завдяки бiльш високiй стабiльностi цiєї фази в по-рiвняннi з кубiчною [23].…”

“…Отримання нами CdS з гексагональною структу-рою при температурi пiдкладки 278 ∘ C корелює з даними роботи [23], де дослiджувався вплив темпе-ратури пiдкладки на структуру i провiднiсть плi-вок CdS, методом термiчного випаровування у ва-куумi. В роботi [23] було зроблено висновок, що плiвкова структура чутлива до температури пiд-кладки.…”

“…В роботi [23] було зроблено висновок, що плiвкова структура чутлива до температури пiд-кладки. При осадженнi плiвки на пiдкладку, нагрi-ту нижче 100 ∘ С, структура в основному була кубi-чною [23]. В температурному iнтервалi 100-200 ∘ С плiвки мiстили як гексагональну, так i кубiчну фа-зу.…”