Influence of substrates on the structural and morphological properties of RF sputtered ITO thin films for photovoltaic application

Manavizadeh, Negin; Boroumand, Farhad Akbari; Asl-Soleimani, Ebrahim; Raissi, Farshid; Bagherzadeh, S. H.; Khodayari, Alireza; Rasouli, Mohammad Amin

doi:10.1016/j.tsf.2008.11.027

Cited by 58 publications

(30 citation statements)

References 14 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Figure 1 shows the XRD patterns of the ultrathin ITO thin films as a function of tin content. It can be seen that the asdeposited ITO thin films exhibits three peaks of indices (222), (400) and (440), which matches well with the bixbyite tin substituted In 2 O 3 structure [16]. The intensity of all the diffraction peaks is relatively weak because of ultra small film thickness.…”

Section: Methodssupporting

confidence: 56%

Effects of tin content on structure, properties, electrical repeatability, uniformity and stability of high sheet resistance ITO thin films for touch panels

Zhou

Zhu

et al. 2015

J Mater Sci: Mater Electron

View full text Add to dashboard Cite

The Sn-doped In 2 O 3 (ITO) thin films with high sheet resistance for touch panels application were deposited by magnetron sputtering process. The effects of tin content on the structure, optical properties, sheet resistance, electrical repeatability, uniformity and stability of ITO thin films were deeply investigated. The ultrathin ITO thin films showed polycrystalline structure with the (222) preferred orientation and smooth surface with low surface roughness. Furthermore, the ultrathin ITO thin films demonstrated strong visible transmittance of above 85 % and had no interference ripples. The ultrathin ITO thin films with ingredient ratio of 95/05 showed stable high sheet resistance, excellent repeatability and uniformity, and could resist the influence from external environment.

show abstract

Section: Methodssupporting

confidence: 56%

Effects of tin content on structure, properties, electrical repeatability, uniformity and stability of high sheet resistance ITO thin films for touch panels

Zhou

Zhu

et al. 2015

J Mater Sci: Mater Electron

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Также деградацию проводимости ITO при нагреве на возду-хе можно объяснить испарением атомов металлов с поверхности пленки, при этом происходит адсорбция атмосферного кислорода. Предполагается, что кислород адсорбируется на поверхности, захватывает электрон и формирует отрицательный поверхностный заряд, из-за чего уменьшается подвижность основных носителей [21]. Увеличение прозрачности пленок может быть обуслов-лено уменьшением количества рассеивающих границ при увеличении размера кристаллических зерен (рис.…”

Section: результаты и обсужденияunclassified

Отделение Тонких Пленок ITO От Кремниевой Подложки С Помощью Микросекундного Лазерного Облучения

Кириенко¹,

Березина²

2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium-tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением ∼ 1.2 кОм/ . Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44568.8444 ВведениеТонкие пленки оксида индия с примесью олова (indium-tin oxide, ITO) находят применение при изго-товлении светоизлучающих полупроводниковых элемен-тов, оптоэлектронных приборов, жидкокристаллических дисплеев и т. п. Широкое распространение покрытия на основе ITO получили благодаря прозрачности в види-мой области спектра и низкому удельному сопротив-лению [1,2]. Известно множество способов получения прозрачных проводящих покрытий на основе оксида индия. В основном для синтеза высококачественных пленок ITO используются такие высокотемпературные методы, как газофазное осаждение, атомное осаждение, осаждение из жидкой дисперсионной среды и др. [3][4][5]. Эти методы в силу требования высокой температуры подложки при осаждении или последующем отжиге накладывают ограничение на использование подложек, не выдерживающих высокотемпературного нагрева. Та-ким образом, сужается область применения пленок ITO в устройствах гибкой оптоэлектроники, солнечных элементах, органической фотоэлектронике и др. [6,7]. В связи с этим в последнее время стало актуальным получение прозрачных проводящих покрытий при пони-женных температурах синтеза на термочувствительных подложках. Однако следует отметить, что низкотемпе-ратурные методы для получения высококачественных пленок ITO выдвигают более жесткие требования к качеству материалов и процессу синтеза [8,9].Известны методы, при которых прозрачные проводя-щие пленки формируются высокотемпературными мето-дами на ростовых подложках, а затем производится отде-ление и перенос пленок на целевые подложки-носители. К таким методам относятся химическое (chemical liftoff) [10,11] и лазерное отделение (laser lift-off) [12][13][14][15][16]. Метод химического отделения позволяет отслаивать пленки ITO без механического повреждения, но требует создания промежуточного слоя на ростовой подложке и дополнительного отжига после отделения, что влияет на качество пленок ITO. Данный метод чаще всего используется для структурирования прозрачных прово-дящих покрытий и отделения пленок ITO с бывших в употреблении устройств для вторичного использования. Метод лазерного отделения, первоначально разработан-ный для отслаивания эпитаксиальных пленок GaN, а затем пленок ITO и других от сапфировых подложек, основан на воздействии ультрафиолетового лазерного излучения на пленку со стороны подложк...

show abstract

“…Indium tin oxide (ITO) is a degenerate wide‐gap (bandgap ∼3.7 eV) n‐type semiconductor which is extensively used for display and photovoltaic (PV) applications due to its relatively low electrical resistivity and high visible transparency . ITO films can be obtained via various growth techniques, including magnetron sputtering , evaporation , pulsed laser deposition , chemical vapour deposition and the sol‐gel method .…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…ITO films can be obtained via various growth techniques, including magnetron sputtering , evaporation , pulsed laser deposition , chemical vapour deposition and the sol‐gel method . Magnetron sputtering has been the most widely used deposition method for high‐throughput and uniform ITO depositions for large‐area devices . One of the magnetron sputtering techniques, known as ‘unbalanced magnetron sputtering’, uses an increased magnetic field to direct electrons towards the substrate by following the magnetic field lines .…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Study of hydrogen influence and conduction mechanism of amorphous indium tin oxide for heterojunction silicon wafer solar cells

Huang

Hameiri²,

Aberle

et al. 2015

Physica Status Solidi (a)

View full text Add to dashboard Cite

The optoelectrical properties of the indium tin oxide (ITO) films are investigated at low-power and low-temperature conditions for heterojunction silicon wafer solar cell applications. ITO films deposited at 100 W in hydrogen-diluted argon ambient have the best optoelectrical quality, giving transparent and conductive (carrier mobilities in the 50-60 cm 2 /Vs range) films. X-ray diffraction analysis shows that the ITO films deposited at 100 W are primarily of amorphous (or quasiamorphous) nature, regardless of the deposition conditions. Based on several other characterisation methods, it is found that the high electron mobility achieved by the hydrogenated ITO films is mainly due to the reduction of scattering centres. A few In 2 O 3 samples are prepared at similar deposition conditions to investigate the electrical conduction mechanism of ITO films. Due to the low doping efficiency of tin atoms in amorphous ITO, the main source of the free electron charge carriers are the oxygen vacancies.

show abstract

Influence of substrates on the structural and morphological properties of RF sputtered ITO thin films for photovoltaic application

Cited by 58 publications

References 14 publications

Effects of tin content on structure, properties, electrical repeatability, uniformity and stability of high sheet resistance ITO thin films for touch panels

Effects of tin content on structure, properties, electrical repeatability, uniformity and stability of high sheet resistance ITO thin films for touch panels

Отделение Тонких Пленок ITO От Кремниевой Подложки С Помощью Микросекундного Лазерного Облучения

Study of hydrogen influence and conduction mechanism of amorphous indium tin oxide for heterojunction silicon wafer solar cells

Contact Info

Product

Resources

About