Influence of working pressure on the structural, optical, and electrical properties of RF-sputtered SnS thin films

Arepalli, Vinaya Kumar; Shin, Yeonbae; Kim, Jeha

doi:10.1016/j.spmi.2018.08.001

Cited by 26 publications

(12 citation statements)

References 32 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The Hall mobility of the p‐type thin film was of the same order of magnitude as the reported values of the undoped SnS thin films (1–4 cm V −1 s −1 ), which were also prepared by radio frequency (RF)‐magnetron sputtering. [ 26 ] The carrier holes in the p‐type thin film are generated by the acceptor‐type defects, as explained in Section 1, however, the impurity Cl is also supposed to have an effect on the carrier concentration, as discussed later.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film

et al. 2021

View full text Add to dashboard Cite

Herein, a pn homojunction SnS solar cell is fabricated for the first time by the deposition of p‐type SnS polycrystalline thin films on the recently reported large n‐type SnS single crystals. The p‐type thin films consist of columnar grains that grow along the <100> direction, which is the same orientation as the n‐type single crystal. In addition, the interface of the pn homojunctions is void‐free and compositionally sharp. The SnS homojunction solar cell achieves an open‐circuit voltage (VOC) of 360 mV, which is as large as the highest VOC of previously reported SnS‐based heterojunction solar cells. The built‐in potential of the homojunction cell is 0.92 eV, which is close to the bandgap energy of SnS (≈1.1 eV), and larger than reported for heterojunctions (≈0.7 eV). The resulting 1.4% conversion efficiency (η) of the homojunction solar cell is smaller than the record 4–5% in heterojunctions, mainly due to the low short‐circuit current density (JSC) of 7.5 mA cm−2. Once the device structure of the homojunction cell is optimized to efficiently collect the photogenerated carriers and achieve a comparable JSC as the conventional heterojunction cells (≈25 mA cm−2), high η exceeding 4–5% will be realized with improving the VOC.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film

et al. 2021

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Subsequently, r decreased from 3.42 Â 10 3 O cm at T s = 303 K to 0.632 Â 10 3 O cm at T s = 623 K. It has been stated in numerous SnS thin film studies that the carrier mobility of films increases with increasing crystallite size. [31][32][33] Issei Suzuki et al studied the temperature dependent carrier mobility of SnS films and found grain boundary scattering dominating the carrier transport in these films. 34 Binqiang Zhou also investigated the transport properties of SnS, in which grain boundary scattering was found to strongly influence these transport properties at or below room temperature, whereas acoustic phonons 35 were found to be the dominant scattering of holes at higher temperature (i.e., 400 K).…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Anomalies in the bulk and surface electronic properties of SnS: effects of native defects

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Mở đầu ( = 10 4 -10 5 cm −1 ) [4,13], hiệu suất chuyển đổi quang () theo lý thuyết đạt 16 đến 25,27% [6,14],…”

unclassified

“…độ nhạy cao (D * = 3,3 × 10 12 Jones) [7], độ ổn định nhiệt cao [2,4,7,8,[15][16][17][18][19] và thân thiện với môi trường. Bên cạnh đó, việc chế tạo thử nghiệm pin mặt trời sử dụng màng mỏng SnS đã cho thấy hiệu suất chuyển đổi quang cao ( = 3,88-4,36%) [1,2].…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

ĐẶC TRƯNG QUANG ĐIỆN TỬ CỦA PIN MẶT TRỜI TRÊN CƠ SỞ MÀNG MỎNG Ag/SnS CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ SÓNG VÔ TUYẾN TẦN SỐ CAO

Trần¹,

Nguyễn²,

Vũ³

et al. 2021

hueuni-jns

View full text Add to dashboard Cite

Chúng tôi trình bày các đặc trưng về pin năng lượng mặt trời chế tạo với màng mỏng SnS/Ag/SnS được tổng hợp bằng phương pháp phún xạ sóng vô tuyến tần số cao. Cấu trúc này có khả năng tăng cường hiệu suất chuyển đổi quang và độ ổn định cao của pin năng lượng mặt trời nhờ khả năng truyền hạt tải tốt dựa vào sự đồng nhất và liên tục của màng Ag/SnS, giảm dòng điện thất thoát và điện trở tiếp xúc nhỏ dựa vào tiếp xúc ohmic tốt giữa điện cực và lớp TiO2. Linh kiện chế tạo dựa trên cấu trúc SnS/Ag/SnS cung cấp hiệu suất chuyển đổi quang học (h) là 4,83% (mật mật độ dòng quang điện ngắn mạch (JSC) 15,1 mA/cm2, hiệu điện thế hở mạch (VOC) 0,5 V) tại nhiệt độ phòng. Từ kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng đến khả năng kết hợp giữa một số kim loại quý với vật liệu SnS nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện và độ ổn định của pin năng lượng mặt trời SnS.

show abstract

Influence of working pressure on the structural, optical, and electrical properties of RF-sputtered SnS thin films

Cited by 26 publications

References 32 publications

SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film

SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film

Anomalies in the bulk and surface electronic properties of SnS: effects of native defects

ĐẶC TRƯNG QUANG ĐIỆN TỬ CỦA PIN MẶT TRỜI TRÊN CƠ SỞ MÀNG MỎNG Ag/SnS CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ SÓNG VÔ TUYẾN TẦN SỐ CAO

Contact Info

Product

Resources

About