The extrinsic photoconductivity of undoped platelet-type CdS crystals irradiated with 280 keV electrons was investigated a t liquid nitrogen and room temperatures in the photon energy range 0.1 to 2.5 eV, using polarized light in the range 0.6 to 2.5 eV. A sensitive ac method was used, superimposing a chopped measuring beam on a constant bias illumination level. At least six photoconductivity bands were found. The bands in the range 0.6 to 2.5 eV are weakly polarized, the higher intensity occurring for E 1 c. The fine structure of the low-energy quenching band previously observed by Hemila and Bube [28] was reproduced but was found to be caused by atmospheric absorption bands. Most of the bands in the photoconductivity spectrum correspond to absorption bands found by Boyn [8] in thick crystals. -The present results, assuming the threshold energies for atomic displacement in CdS determined by Kulp and Kelley [2,3] to be valid, together with the results of trap analysis made also in this work, absorption measurements [8], and our earlier investigations of the trap spectrum, electron lifetime, and dark conductivity of deuteronbombarded CdS crystals [27] suggest an assignment of the photoconductivity bands to intrinsic lattice defects and to donor-acceptor associates involving intrinsic defects and residual impurities.Die Storstellenphotoleitfahigkeit undotierter plattchenformiger CdS-Kristalle, die mit 280 keV-Elektronen bestrahlt worden waren, wurde bei der Temperatur des flussigen Stickstoffs und bei Raumtemperatur im Photonenenergiebereich von 0,l bis 2,5 eV untersucht, wobei im Bereich von 0,6 bis 2,5 eV mit polarisiertem Licht gearbeitet wurde. Zur Messung wurde eine empfindliche Wechsellichtmethode benutzt, bei der ein zerhackter Xe5strahl einem konstanten Gleichlicht uberlagert wurde. Mindestens sechs Photoleitfahigkeitsbanden wurden gefunden. Die Banden im Bereich von 0,6 bis 2,5 eV sind schwach polarisiert, die groBere Intensitat tritt fur E 1 e auf. Die Feinstruktur der niederener-
